[實用新型]一種雙面發(fā)電式太陽能電池板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721902024.1 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN207705217U | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 雷宇 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢斯恩利新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 武漢天力專利事務(wù)所 42208 | 代理人: | 羅雷 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池板 發(fā)射極層 下表面 鈍化處理 雙面發(fā)電 導(dǎo)電極 摻雜 防反光涂層 太陽能電池 發(fā)電效率 涂層表面 上表面 發(fā)電量 發(fā)電 | ||
本實用新型公開了一種雙面發(fā)電式太陽能電池板,包括N型硅電池層,所述N型硅電池層的上表面設(shè)有摻雜硼的上發(fā)射極層,所述上發(fā)射極層表面設(shè)有防反光涂層,防放光涂層表面設(shè)有導(dǎo)電極,所述N型硅電池層的下表面設(shè)有摻雜磷的下發(fā)射極層,下發(fā)射極層的下表面設(shè)有N型硅鈍化處理涂層,N型硅鈍化處理涂層的下表面設(shè)有另外的導(dǎo)電極。該太陽能電池板雙面都能發(fā)電,提高了單位面積的太陽能電池板的發(fā)電效率,發(fā)電量大,對太陽能電池板的利用率高。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于太陽能發(fā)電裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種雙面發(fā)電式太陽能電池板。
背景技術(shù)
太陽能發(fā)電系統(tǒng)是利用電池組件將太陽能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿难b置系統(tǒng)。在光照條件下,太陽電池組件產(chǎn)生一定的電動勢,通過組件的串并聯(lián)形成太陽能電池方陣,使得方陣電壓達到系統(tǒng)輸入電壓的要求。
而現(xiàn)有的太陽能電池板一般都是單面接觸陽光,單面發(fā)電,發(fā)電效率較低,對太陽能電池板的利用率也較低。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,本實用新型提供一種雙面發(fā)電式太陽能電池板,該太陽能電池板雙面都能發(fā)電,提高了單位面積的太陽能電池板的發(fā)電效率,發(fā)電量大,對太陽能電池板的利用率高。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用如下技術(shù)方案:一種雙面發(fā)電式太陽能電池板,包括N型硅電池層,所述N型硅電池層的上表面設(shè)有摻雜硼的上發(fā)射極層,所述上發(fā)射極層表面設(shè)有防反光涂層,防放光涂層表面設(shè)有導(dǎo)電極,所述N型硅電池層的下表面設(shè)有摻雜磷的下發(fā)射極層,下發(fā)射極層的下表面設(shè)有N型硅鈍化處理涂層,N型硅鈍化處理涂層的下表面設(shè)有另外的導(dǎo)電極。
在上述技術(shù)方案中,所述上發(fā)射極層、防反光涂層、下發(fā)射極層和N型硅鈍化處理涂層均為鋸齒狀的柵線結(jié)構(gòu)。
在上述技術(shù)方案中,所述導(dǎo)電極的數(shù)量為多個。
在上述技術(shù)方案中,所述導(dǎo)電極外設(shè)有鍍銀層。
本實用新型的有益效果是:光線照射在該電池板上時,上下表面都能將光轉(zhuǎn)換成電能,并通過導(dǎo)電極導(dǎo)出,提高了發(fā)電效率,增加了發(fā)電量;通過將上發(fā)射極層、防反光涂層、下發(fā)射極層和N型硅鈍化處理涂層設(shè)置成鋸齒狀的柵線結(jié)構(gòu),使照射在該電池板上的光接觸到更大面積的N型硅電池層上,進一步提高了發(fā)電效率,也提高了N型硅電池層的使用效率。
附圖說明
圖1為本實用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
其中:1.N型硅電池層,2.上發(fā)射極層,3.防反光涂層3,4.導(dǎo)電極,5.下發(fā)射極層,6.N型硅鈍化處理涂層。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步說明。
如圖1所示的一種雙面發(fā)電式太陽能電池板,包括N型硅電池層1,所述N型硅電池層1的上表面設(shè)有摻雜硼的上發(fā)射極層2,所述上發(fā)射極層2表面設(shè)有防反光涂層3,防放光涂層3表面設(shè)有導(dǎo)電極4,所述N型硅電池層1的下表面設(shè)有摻雜磷的下發(fā)射極層5,下發(fā)射極層5的下表面設(shè)有N型硅鈍化處理涂層6,N型硅鈍化處理涂層6的下表面設(shè)有另外的導(dǎo)電極4。
在上述技術(shù)方案中,所述上發(fā)射極層2、防反光涂層3、下發(fā)射極層5和N型硅鈍化處理涂層6均為鋸齒狀的柵線結(jié)構(gòu)。發(fā)射極層2、防反光涂層3、下發(fā)射極層5和N型硅鈍化處理涂層6的鋸齒狀的柵線結(jié)構(gòu),相當于增加了N型硅電池層1與光的接觸面積,提高了N型硅電池層1的發(fā)電效率。
N型電池的基體是n-Si,基體的前表面通過擴散重摻雜形成p+發(fā)射極,p+發(fā)射極與n-Si基體接觸形成p+-n結(jié),基體的背表面通過擴散或者離子注入重摻雜形成n+背場,n+背場與n-Si基體接觸形成n+-n高低結(jié)。p+-n結(jié)和n+-n高低結(jié)內(nèi)部都存在內(nèi)建電場,可以分離光照產(chǎn)生的電子-空穴對,被分離的電子通過背場上面的背電極、空穴通過發(fā)射極上面的前電極輸出到外電路,驅(qū)動負載運行。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





