[實用新型]一種場效應管測量儀

有效

• 申請號: 201721900073.1
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN208125875U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 馮伯翰;邱志明;周澤湘;黃俐;馮夢雅
• 申請（專利權）人: 馮伯翰;邱志明;周澤湘;黃俐;馮夢雅
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425
• 代理人: 吳靜芝

本實用新型涉及一種場效應管測量儀。本實用新型所述的場效應管測量儀包括：被測管插座，所述被測管插座包括柵極插孔、源極插孔和漏極插孔；柵極電壓調節模塊，連接在所述柵極插孔和源極插孔之間，用于調節柵極電壓的大小和極性；漏極電壓調節模塊，連接在所述漏極插孔和源極插孔之間，用于調節漏極電壓的大小和極性；所述源極插孔接地。具有能測量所有場效應管的應用參數且操作簡單方便的優點。

技術領域

本實用新型涉及參數測量領域，特別是涉及一種場效應管測量儀。

背景技術

場效應管屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。其還屬于負溫度系數器件，隨溫度上升電流減小，與晶體三極管的正溫度系數特性剛好相反。

場效應管按材料分類，可分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管，按結構分類，可分為P溝道和N溝道，按工作性質分類，又分為增強型和耗盡型。并且有，結型場效應管則均為耗盡型的。

場效應管的應用參數包括：①飽和漏-源電流—I_DSS，是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓V_GS＝0時的漏-源電流。②夾斷電壓—U_P(V_P或V_GS off)，是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏-源間剛截止時的柵極電壓V_GS。③開啟電壓—U_T(閾值電壓Vth)，是指增強型絕緣柵場效管中，使漏-源極間剛導通時的柵極電壓V_GS。④導通電阻—Rdss(on)，指柵極電壓為10V的條件下，MOSFET漏-源極之間的導通電阻。⑤跨導—gM，是表示柵極電壓V_GS對漏極電流I_D的控制能力，即漏極電流I_D變化量與柵-源電壓V_GS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。

在進行電路設計等工作時經常需要用到場效應管，也經常碰到不知道場效應管的具體型號及其應用參數的情況，即使是經驗純熟的電子工程師想要測量場效應管的參數也需要花費大量的時間和精力，給電子工程師帶來極大的不便。對于目前，還沒有能測所有場效應管應用參數的測量儀。

實用新型內容

基于此，本實用新型的目的在于，提供一種場效應管測量儀，其具有能測量所有場效應管的應用參數且操作簡單方便，適用于實驗和教學的優點。

一種場效應管測量儀，包括被測管插座，所述被測管插座包括柵極插孔、源極插孔和漏極插孔；柵極電壓調節模塊，連接在所述柵極插孔和源極插孔之間，用于調節柵極電壓的大小和極性；漏極電壓調節模塊，連接在所述漏極插孔和源極插孔之間，用于調節漏極電壓的大小和極性；所述源極插孔接地。

本實用新型所述的場效應管測量儀，通過柵極電壓調節模塊調節柵極電壓的大小和極性；漏極電壓調節模塊調節漏極電壓的大小和極性，配合形成所需的應用參數測量條件，從而測量出場效應管的應用參數。此外，還可以根據調節的柵極電壓對應的漏極電流獲得場效應管的轉移特性曲線。

進一步地，還包括電壓檢測裝置，用于檢測柵—源插孔電壓或漏—源插孔電壓；所述電壓表一端連接單刀雙擲開關的不動端，另一端接地，單刀雙擲開關的動端可選擇地連接所述柵極插孔和柵極插孔。該電壓檢測裝置既可以檢測柵極電壓，又可以檢測漏極電壓。

進一步地，所述被測管插座為3個，包括適用于T0220封裝的中功率MOS管的插座、適用于T092封裝的JFET管和DIP—4封裝的MOS管的插座和適用于大功率MOS管的插座。配備多個被測管插座適用于不同封裝的場效應管，實現測量所有的場效應管的應用參數。