[實用新型]基于射頻場效應管的功率放大器末級放大裝置

有效

• 申請號: 201721895804.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN207706135U
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 邢康輝;李楊;柴永平;韓燕
• 申請（專利權）人: 陜西烽火電子股份有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F1/30
• 代理公司: 西安睿通知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 61218
• 代理人: 惠文軒

本實用新型屬于短波通信設備技術領域，公開了基于射頻場效應管的功率放大器末級放大裝置，功率放大器末級放大裝置設置在二級功率放大單元之后，裝置包括：依次連接的射頻通路匹配單元、射頻場效應管、功率補償單元、射頻輸出單元，以及連接在射頻場效管輸出端到輸入端之間的反饋單元；其中，射頻場效應管包含柵極、漏極和源極；射頻通路匹配單元的輸入端連接二級功率放大單元的射頻信號輸出端，射頻通路匹配單元的輸出端連接射頻場效應管的柵極，射頻場效應管的漏極連接功率補償單元的輸入端，射頻場效應管的源極接地，能夠解決：現有短波20W功放熱穩定性較差致使平坦度指標較差、互調指標較差的問題。

技術領域

本實用新型屬于短波通信設備技術領域，尤其涉及基于射頻場效應管的功率放大器末級放大裝置，用于20W功率放大器末級放大單元。

背景技術

現有技術中，20W短波產品功放模塊的末級放大電路都是基于晶體管。晶體管易安裝受靜電影響小，但是最大缺點是受溫度影響較大熱穩定性差，直接影響功放平坦度和互調指標。

實用新型內容

針對上述問題，本實用新型的目的在于提供一種基于射頻場效應管的功率放大器末級放大裝置，能夠解決：現有短波20W功放熱穩定性較差致使平坦度指標較差、互調指標較差的問題。

為達到上述目的，本實用新型采用如下技術方案予以實現。

一種基于射頻場效應管的功率放大器末級放大裝置，所述功率放大器末級放大裝置設置在二級功率放大單元之后，所述裝置包括：依次連接的射頻通路匹配單元、射頻場效應管、功率補償單元、射頻輸出單元，以及連接在射頻場效管輸出端到輸入端之間的反饋單元；

其中，所述射頻場效應管包含柵極、漏極和源極；

所述射頻通路匹配單元的輸入端連接所述二級功率放大單元的射頻信號輸出端，所述射頻通路匹配單元的輸出端連接所述射頻場效應管的柵極，所述射頻場效應管的漏極連接所述功率補償單元的輸入端，所述射頻場效應管的源極接地。

本實用新型技術方案的特點和進一步的改進為：

(1)所述反饋單元的輸入端連接所述射頻場效應管的漏極輸出端，所述反饋單元的輸出端連接所述射頻場效應管的柵極輸入端。

(2)所述射頻場效應管的柵極工作電壓由偏置電路提供，所述射頻場效應管的漏極工作電壓由漏極供電電路提供。

(3)所述射頻場效應管的型號為DMD1010，其內部由兩個MOS管組成，從而具有兩個柵極輸入端和兩個漏極輸出端；

所述射頻通路匹配單元由第一電容、第二電容、第三電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、以及第一耦合變壓器組成；

其中，所述第一電容的一端作為所述射頻通路匹配單元的輸入端，所述第一電容的另一端與所述第一耦合變壓器的一次繞組的一端連接，所述第一耦合變壓器的一次繞組的另一端接地，所述第一耦合變壓器的二次繞組的一端與第一并聯支路的一端連接，所述第一并聯支路由第一電阻和第二電容并聯組成，所述第一耦合變壓器的二次繞組的另一端與第二并聯支路的另一端連接，所述第二并聯支路由第二電阻和第三電容并聯組成，所述第一并聯支路的另一端和所述第二并聯支路的另一端之間串接所述第三電阻，且所述第三電阻的兩端分別作為所述射頻通路匹配單元的兩個子輸出端，且所述射頻通路匹配單元的兩個子輸出端分別與所述射頻場效應管的兩個柵極輸入端對應連接。

(4)所述射頻場效應管的型號為DMD1010，其內部由兩個MOS管組成，從而具有兩個柵極輸入端和兩個漏極輸出端；

所述功率補償單元由第四電阻、第五電阻、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容、第九電容、電感、第二耦合變壓器以及第三耦合變壓器組成；