[實用新型]發光二極管芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 201721889098.6
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN207852728U
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 蔡奇風;陳彥亨;林正忠;吳政達
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

本實用新型提供一種發光二極管芯片的封裝結構，包括：透明基底，具有引出焊盤；金屬引線，連接于引出焊盤上，金屬引線向上延伸；發光二極管芯片，裝設于引出焊盤上，以實現發光二極管芯片的電性引出；熒光材料層，位于發光二極管芯片與透明基底之間；封裝材料，覆蓋于發光二極管芯片，且金屬引線露出于封裝材料；以及凸點下金屬層及金屬凸塊，形成于封裝材料上，以實現金屬引線的電性引出。本實用新型的發光二極管芯片創新的采用扇出型封裝結構，封裝密度高，可有效降低封裝體積。本實用新型具有良好的散熱效果，可大大提高了芯片的耐用性能及壽命。本實用新型的引線結構簡約，可有效縮短線路的長度。

技術領域

本實用新型屬于半導體封裝領域，特別是涉及一種發光二極管芯片的封裝結構及封裝方法。

背景技術

隨著集成電路的功能越來越強、性能和集成度越來越高，以及新型的集成電路出現，封裝技術在集成電路產品中扮演著越來越重要的角色，在整個電子系統的價值中所占的比例越來越大。同時，隨著集成電路特征尺寸達到納米級，晶體管向更高密度、更高的時鐘頻率發展，封裝也向更高密度的方向發展。

由于扇出晶圓級封裝(fowlp)技術由于具有小型化、低成本和高集成度等優點，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圓級封裝(fowlp)技術已成為高要求的移動/無線網絡等電子設備的重要的封裝方法，是目前最具發展前景的封裝技術之一。

當前全球能源短缺的憂慮再度升高的背景下，節約能源是我們未來面臨的重要的問題，在照明領域，LED發光產品的應用正吸引著世人的目光，LED作為一種新型的綠色光源產品，必然是未來發展的趨勢，二十一世紀將進入以LED為代表的新型照明光源時代。

LED被稱為第四代照明光源或綠色光源，具有節能、環保、壽命長、體積小等特點，可以廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領域。

現有的發光二極管芯片的封裝通常包括正裝封裝及倒裝封裝。現有的正裝封裝和倒裝封裝結構通常需要將發光二極管芯片固定于一基底上，所述基底需要實現發光二極管芯片的電性引出。然而，這種基底厚度較大，散熱效率不是很理想，發光二極管芯片由于熱積累導致可靠性及壽命的降低，并且，封裝結構的體積較為龐大，封裝引線的線路較長，且容易產生斷路等問題。

基于以上所述，提供一種可有效提高發光二極管芯片散熱，較小封裝體積，且有效縮短引線線路長度的封裝結構及封裝方法實屬必要。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種發光二極管芯片的封裝結構及封裝方法，用于解決現有技術中發光二極管芯片的封裝體積較大、散熱效果差以及引線線路過長等問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種發光二極管芯片的封裝結構，所述封裝結構包括：透明基底，所述透明基底上具有引出焊盤；金屬引線，連接于所述引出焊盤上，所述金屬引線向上延伸；發光二極管芯片，裝設于所述引出焊盤上，以實現所述發光二極管芯片的電性引出；熒光材料層，位于所述發光二極管芯片與所述透明基底之間；封裝材料，覆蓋于所述發光二極管芯片，且所述金屬引線露出于所述封裝材料；以及凸點下金屬層及金屬凸塊，形成于所述封裝材料上，以實現所述金屬引線的電性引出。

優選地，所述熒光材料層的面積不小于所述發光二極管的出光區域的面積。

優選地，所述發光二極管芯片的出光面與所述熒光材料緊密相接。

優選地，所述金屬引線的材料包括Au及Cu中的一種。

優選地，所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環氧樹脂中的一種。

優選地，所述凸點下金屬層及金屬凸塊包括：介質層，形成于所述封裝材料表面，所述介質層中形成有顯露所述金屬引線的開孔；凸點下金屬層，制作于所述開孔中，所述凸點下金屬層與所述金屬引線電性連接；金屬凸塊，形成于所述凸點下金屬層表面。