[實用新型]聲表面波器件氣密性晶圓級封裝結構

有效

• 申請號: 201721882163.2
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN207559959U
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 米佳;朱勇;冷俊林;陶毅
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十六研究所
• 主分類號: H03H9/10
• 分類號: H03H9/10
• 代理公司: 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212
• 代理人: 李海華

1.聲表面波器件氣密性晶圓級封裝結構，包括功能芯片和封蓋晶圓，其特征在于：在功能芯片工作面的外圍鍍有一圈鍵合層金屬，封蓋晶圓上與每塊芯片鍵合層金屬對應位置分別鍍有一圈鍵合層金屬，功能芯片與封蓋晶圓上的鍵合層金屬通過金-金鍵合或者共晶鍵合對應結合在一起；在封蓋晶圓背向功能芯片工作面那面設有外部電路布線結構和外電極；在外電極上制作有外部焊球；封蓋晶圓上設有導通孔以將功能芯片工作面電路依次通過導通孔、外部電極和外部焊球電連接；封蓋晶圓和功能芯片上的鍵合層金屬寬度為20-30微米。

2.根據權利要求1所述的聲表面波器件氣密性晶圓級封裝結構，其特征在于：在導通孔內填充有導電金屬，導電金屬朝向功能芯片那面制做有電連接用鍵合金屬，電連接用鍵合金屬與功能芯片上對應的電極鍵合連接。

3.根據權利要求1所述的聲表面波器件氣密性晶圓級封裝結構，其特征在于：所述封蓋晶圓和功能晶圓上的鍵合層金屬相同，均為金或者金錫。

4.根據權利要求1所述的聲表面波器件氣密性晶圓級封裝結構，其特征在于：所述封蓋晶圓和功能晶圓材料相同且切型相同。