[實用新型]電子書觸控板傳感器用光電二極管有效

申請?zhí)枺?/td>	201721880634.6	申請日：	2017-12-28
公開（公告）號：	CN208157435U	公開（公告）日：	2018-11-27
發(fā)明（設計）人：	崔峰敏	申請（專利權）人：	傲迪特半導體（南京）有限公司
主分類號：	H01L31/06	分類號：	H01L31/06;H01L31/0256;H01L31/0312
代理公司：	江蘇致邦律師事務所 32230	代理人：	徐蓓;尹妍
地址：	210024 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	高摻雜襯底低摻雜觸控板傳感器光電二極管接觸孔碳納米陰極本實用新型圓角正方形二極管沉積金屬混合金屬外延硅層陽極靈敏度外凸起沉積背面
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【權利要求書】：

1.一種電子書觸控板傳感器用光電二極管，低摻雜的N型高阻硅襯底上設有高摻雜P型硅層，形成PN結，低摻雜的N型高阻硅襯底外環(huán)為高摻雜N型硅環(huán)，其特征在于，所述N型高阻硅襯底、高摻雜P型硅層和高摻雜N型硅層上有碳納米層，所述高摻雜P型硅層和高摻雜N型硅環(huán)間的低摻雜N型高阻硅襯底向外凸起形成低摻雜外延硅層；所述碳納米層上有圓角正方形狀接觸孔，接觸孔內沉積金屬Al作為陽極，N型高阻硅襯底的背面沉積陰極；陰極電極和陽極電極外設有二氧化硅和氮化硅復合保護膜。

2.根據(jù)權利要求1所述光電二極管，其特征在于，二極管硅晶片尺寸為0.5mm×0.3mm×280μm。

3.根據(jù)權利要求1所述光電二極管，其特征在于，所述低摻雜的N型高阻硅襯底電阻率為1200~4000Ω·cm，厚度200μm。

4.根據(jù)權利要求1所述光電二極管，其特征在于，所述高摻雜N型硅環(huán)深度為80μm，所述高摻雜P型硅層深度為80μm。

5.根據(jù)權利要求1所述光電二極管，其特征在于，陽極金屬Al的厚度為2μm，陰極的厚度為0.1μm。

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