[實用新型]一種零平面高功率的整流橋有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721880105.6 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN207602560U | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 董晶晶 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市強元芯電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/373;H01L23/367;H01L25/07 |
| 代理公司: | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;蘇芳 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 整流芯片 高功率 整流橋 焊片 凸起 本實用新型 工作壽命長 封裝機構(gòu) 工作穩(wěn)定 散熱效果 應(yīng)用 生產(chǎn) | ||
1.一種零平面高功率的整流橋,其特征在于,包括第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、四個整流芯片、封裝機構(gòu);所述第一框架、第四框架為扁平的L形結(jié)構(gòu),所述第二框架、第三框架均為扁平的Z型結(jié)構(gòu);所述第一框架、第四框架均設(shè)有兩個凸起,該兩凸起上均設(shè)有方形焊片;所述第二框架、第三框架上也均設(shè)有兩焊片;所述每一整流芯片另一端與對應(yīng)的第一框架、第四框架上的焊片焊接,每一整流芯片的另外一端與對應(yīng)的第二框架、第三框架上的焊片焊接;所述封裝機構(gòu)用于封裝第一框架、第二框架、第三框架、第四框架,且第一框架、第二框架、第三框架均從封裝機構(gòu)伸出一引腳;所述每個整流芯片分別與第一框架、第二框架、第三框架、第四框架相互連接成一整流橋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的零平面高功率的整流橋,其特征在于:所述第一框架、第二框架、第三框架、第四框架均為銅材料制成,且第一框架、第二框架、第三框架、第四框架的引腳均為圓柱形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的零平面高功率的整流橋,其特征在于:所述封裝機構(gòu)為環(huán)氧密封樹脂制成,且為方形結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市強元芯電子有限公司,未經(jīng)深圳市強元芯電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721880105.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:SOP7雙芯片框架
- 下一篇:一種超薄封裝的整流橋





