[實用新型]一種高功率的整流橋

有效

• 申請號: 201721880103.7
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN207690793U
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 董晶晶
• 申請（專利權）人: 深圳市強元芯電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/11;H02M7/00
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 彭西洋;蘇芳

本實用新型公開了一種高功率的整流橋，包括第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、四個整流芯片、四個連接引線、封裝機構；所述第一框架、第二框架、第三框架均為C形結構，所述第四框架為倒L形結構；所述每一整流芯片一端的正極或負極分別與對應的第二框架、第三框架、第四框架焊接，所述第二框架、第三框架上的整流芯片另外一端通對應的連接引線與第一框架連接；所述第四框架上的整流芯片另外一端通過對應的連接引線分別連接第二框架、第三框架；本實用新型具有結構簡單、散熱效果好、整流芯片工作穩定、整流芯片工作壽命長的優點，并在整流橋技術領域具有廣泛的生產及應用價值。

技術領域

本實用新型涉及整流橋技術領域，尤其涉及的是一種高功率的整流橋。

背景技術

現有的整流橋堆內部置四顆芯片，通過上下雙層銅引線，及設置四個不同位置芯片正反方面，直接相連，組成整流的橋式結構，工作時產生的熱量通過雙層銅引線傳導至外封環氧樹脂，將熱量散發出去，

現有的封裝內部設計簡單直接，雖可實現產品功能，但因內部僅通過雙層外延銅引線相接，其余空間以環氧樹脂封裝，封裝后的產品芯片產生的熱量傳導至外延銅引線，通過銅引線與環氧樹脂的接觸面積來散熱，此散熱面積接觸面相對較小，若電路中電流加大，其溫升迅速升高，使內部溫度過高，大大減少芯片壽命

實用新型內容

針對以上所存在缺陷，本實用新型提供一種結構簡單、散熱效果好、整流芯片工作穩定、整流芯片工作壽命長且具有高效散熱功能的整流橋。

本實用新型的技術方案如下：一種高功率的整流橋，包括第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、四個整流芯片、四個連接引線、封裝機構；所述第一框架、第二框架、第三框架均為C形結構，所述第四框架為倒L形結構；所述每一整流芯片一端的正極或負極分別與對應的第二框架、第三框架、第四框架焊接，所述第二框架、第三框架上的整流芯片另外一端通對應的連接引線與第一框架連接；所述第四框架上的整流芯片另外一端通過對應的連接引線分別連接第二框架、第三框架；所述封裝機構用于封裝第一框架、第二框架、第三框架、第四框架，且第一框架、第二框架、第三框架均從封裝機構伸出一引腳；所述每個整流芯片分別與第一框架、第二框架、第三框架、每一連接引線相互連接成一整流橋。

優選地，所述第二框架、第三框架上均設有一整流芯片，所述第四框架上焊接兩整流芯片；所述第一框架、第二框架、第三框架、第四框架均為銅材料制成，且每一引腳均為長條形結構。

優選地，所述四個連接引線均為無氧銅材料制成，且每一連接引線均為長條形結構。

優選地，所述封裝機構為環氧密封樹脂制成，且為方形結構。

采用上述方案，本實用新型有益效果是：

(1)、本實用新型的第一框架、第二框架、第三框架均為C形結構，所述第四框架為倒L形結構；所述每一整流芯片一端的正極或負極分別與對應的第二框架、第三框架、第四框架焊接，所述第二框架、第三框架上的整流芯片另外一端通對應的連接引線與第一框架連接；所述第四框架上的整流芯片另外一端通過對應的連接引線分別連接第二框架、第三框架；所述封裝機構用于封裝第一框架、第二框架、第三框架、第四框架，且第一框架、第二框架、第三框架均從封裝機構伸出一引腳；所述每個整流芯片分別與第一框架、第二框架、第三框架、每一連接引線相互連接成一整流橋；這樣的設計結構簡單、每一方形的焊片方便吸收整流芯片上的熱量，且通過引腳傳遞熱量；

(2)、本實用新型的第二框架、第三框架上均設有一整流芯片，所述第四框架上焊接兩整流芯片；所述第一框架、第二框架、第三框架、第四框架均為銅材料制成，且每一引腳均為長條形結構；這樣的設計方便整流芯片工作所產生的熱量通過對應的框架和引腳將熱量散出；所述四個連接引線均為無氧銅材料制成，且每一連接引線均為長條形結構；所述封裝機構為環氧密封樹脂制成，且為方形結構；這樣的設計方便進一步散熱，及增加整流芯片的穩定性和提高壽命；因此本實用新型具有結構簡單、散熱效果好、整流芯片工作穩定、整流芯片工作壽命長的有益效果。