[實用新型]一種半導體芯片的封裝結構有效
| 申請號： | 201721875145.1 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN207818560U | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發明（設計）人： | 張黎;賴志明;陳錦輝;陳棟 | 申請（專利權）人： | 江陰長電先進封裝有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 趙華 |
| 地址： | 214400 江蘇省無錫市江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬柱 基本體 介電層 再布線金屬層 輸入/輸出端 半導體芯片 封裝結構 包封層 上表面 固連 半導體芯片封裝 背面保護層 本實用新型 背面設置 垂直區域 芯片焊盤 側壁 焊球 銅柱 開口 芯片 | ||
1.一種半導體芯片的封裝結構，其包括硅基本體（10），所述硅基本體（10）的正面設有鈍化層并嵌有芯片焊盤，其鈍化層開口露出芯片焊盤的上表面，其特征在于，
在所述硅基本體的上方設置金屬柱（20），所述金屬柱（20）的高度＞40微米，所述金屬柱（20）與芯片焊盤固連,
還包括包封層（40）、介電層（50）和保護層（70），所述包封層（40）包裹金屬柱（20）和硅基本體（10）的側壁，并露出金屬柱（20）的上表面，
所述介電層（50）設置在包封層（40）的上表面，并開設介電層開口（501）露出金屬柱（20）的上表面，
所述介電層（50）的上表面設置再布線金屬層（30）和輸入/輸出端（31），所述再布線金屬層（30）通過介電層開口（501）與金屬柱（20）固連，所述輸入/輸出端（31）設置在金屬柱（20）的垂直區域之外，
在所述輸入/輸出端（31）設置連接件（60），所述保護層（70）填充再布線金屬層（30）和介電層（50）的裸露面并露出連接件（60）的上表面；
所述包封層（40）于硅基本體（10）至介電層（50）的厚度H＞40微米；
所述硅基本體（10）的背面設置背面保護層（18）。
2.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述硅基本體（10）的背面與背面保護層（18）之間設置背面金屬層（16）。
3.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述連接件（60）為焊球或焊塊。
4.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述連接件（60）為Ni/Au層焊盤結構。
5.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述連接件（60）為Cu/Sn層焊盤結構。
6.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述再布線金屬層（30）為多層再布線。
7.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述金屬柱（20）的材質為銅、錫、鎳。
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