[實用新型]基于平行耦合線首尾級聯(lián)的全波長耦合雙環(huán)形濾波器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721874831.7 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN207719373U | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐開達;張風雨;葉龍芳;劉顏回;柳清伙 | 申請(專利權)人: | 廈門大學;廈門大學深圳研究院 |
| 主分類號: | H01P1/203 | 分類號: | H01P1/203;H01P7/08 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產(chǎn)權代理有限公司 44245 | 代理人: | 尹明明 |
| 地址: | 361055 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平行耦合線 首尾 濾波器 傳輸零點 耦合 全波長 雙環(huán)形 級聯(lián) 環(huán)形諧振器 濾波器結構 導波波長 本實用新型 有效地實現(xiàn) 單層結構 電路結構 級聯(lián)耦合 交叉耦合 平面電路 高阻帶 體積小 通帶 阻帶 帶寬 輸出 保證 | ||
本實用新型公開了一種基于平行耦合線首尾級聯(lián)的全波長耦合雙環(huán)形濾波器,該雙環(huán)形濾波器由兩個首尾級聯(lián)的環(huán)形諧振器構成。通過兩對3/4導波波長平行耦合線和一對1/4導波波長平行耦合線形成兩個首尾級聯(lián)耦合環(huán),左右兩對平行耦合線分別首尾級聯(lián)在中間那一對平行耦合線的兩端,從而保證兩個環(huán)形諧振器均滿足全波長耦合。該濾波器結構理論上在通帶外可產(chǎn)生8個傳輸零點,由于輸入輸出采用源?負載交叉耦合的形式,可以額外產(chǎn)生1個傳輸零點,故而實際上該濾波器結構在帶外產(chǎn)生9個傳輸零點,從而有效地實現(xiàn)高阻帶抑制。整體的電路結構可以實現(xiàn)21.2%的帶寬以及寬阻帶,結構簡單,僅為單層結構,體積小,易于與其他平面電路集成使用。
技術領域
本實用新型屬于微波毫米波混合平面集成電路,具體涉及一種基于平行耦合線首尾級聯(lián)的全波長耦合雙環(huán)形濾波器。
背景技術
在現(xiàn)代無線電和移動通信系統(tǒng)中,微波電路正在朝著復雜且集成化發(fā)展,與此同時,濾波器在其中扮演著一個非常重要且必不可少的角色,由于平面結構的濾波器可以采用印刷電路技術進行制造,且其緊湊的結構、尺寸小和低成本制造,更加適用于商業(yè)化的應用,故而該類結構的濾波器受到廣泛研究者們的青睞。此外,使用平行耦合線結構設計的濾波器有著結構設計簡單,電路尺寸小和高性能的特點,故而引起了廣泛研究者的興趣。近年來,越來越多的研究者致力于高選擇性和高阻帶抑制的濾波器研究,然而,現(xiàn)有設計的環(huán)形濾波器結構存在的缺點有:(1)帶外的抑制雖好,但帶內的性能較差,通帶邊緣下降緩慢,帶內選擇性較差;(2)濾波器的通帶較窄;(3)整個電路結構復雜、尺寸大,設計較為繁瑣,且?guī)獾囊种撇睿粡氐住?/p>
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型實施例提供一種基于平行耦合線首尾級聯(lián)的全波長耦合雙環(huán)形濾波器,其結構簡單且體積較小;提高了阻帶抑制。
本實用新型實施例提供一種基于平行耦合線首尾級聯(lián)的全波長耦合雙環(huán)形濾波器,包括:
第一端口、第二端口,第一平行耦合線(3)、第二平行耦合線(4)、第三平行耦合線(5);
所述第一平行耦合線(3)包括第一耦合微帶線和第二耦合微帶線;
所述第二平行耦合線(4)包括第三耦合微帶線和第四耦合微帶線;
所述第三平行耦合線(5)包括第五耦合微帶線和第六耦合微帶線;
所述第一耦合微帶線連接所述第一端口;
所述第六耦合微帶線連接所述第二端口;
所述第二耦合微帶線與所述第三耦合微帶線形成第一閉合環(huán);
所述第四耦合微帶線與所述第五耦合微帶線形成第二閉合環(huán)。
進一步地,所述第一平行耦合線和所述第三平行耦合線的長度均為3/4導波波長;所述第二平行耦合線的長度為1/4導波波長。
進一步地,所述第二耦合微帶線和所述第五耦合微帶線的寬度小于所述第三耦合微帶線和所述第四耦合微帶線的寬度。
進一步地,所述第一端口和所述第二端口位于同一側。
進一步地,還包括:第一曲折微帶線、第二曲折微帶線;所述第一端口通過所述第一曲折微帶線與所述第一耦合微帶線的一端相連;所述第二端口通過所述第二曲折微帶線與所述第三耦合微帶線的一端相連。
進一步地,所述濾波器為左右對稱結構,對稱中心線為所述第二平行耦合線的中心線。
進一步地,所述第一平行耦合線為反弓形;所述第三平行耦合線為弓形。
進一步地,所述第一平行耦合線和所述第三平行耦合線的耦合間隙相同均為0.15mm,所述第二平行耦合線的耦合間隙為0.42mm。
進一步地,介質基板的介電常數(shù)為2.65,介質基板的高度為1mm。
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