[實用新型]IGBT驅(qū)動電路和電磁加熱設備

有效

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• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN207638923U
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 孫鵬剛;趙禮榮;楊劍
• 申請（專利權）人: 浙江紹興蘇泊爾生活電器有限公司
• 主分類號: H05B6/02
• 分類號: H05B6/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉丹;黃健

本實用新型提供一種IGBT驅(qū)動電路和電磁加熱設備。其中，IGBT驅(qū)動電路包括：推挽電路、第一電阻、第三電阻、第一電容和穩(wěn)壓二極管。第一電容與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)，推挽電路的第一端與第一電阻的第一端連接，第一電阻的第二端與穩(wěn)壓二極管的負極連接，穩(wěn)壓二極管的正極與推挽電路的第二端連接且接地，第三電阻的第一端與推挽電路的第三端連接，第三電阻的第二端與穩(wěn)壓二極管的負極連接；推挽電路的第三端用于輸入基準電壓，推挽電路的第四端用于輸入IGBT驅(qū)動信號，第一電阻的第一端還用于連接IGBT的柵極，第一電阻的第二端還用于連接IGBT的發(fā)射極。通過提供一定的反向關斷電壓關斷IGBT，避免了IGBT誤開通。

技術領域

本實用新型涉及家用電器技術領域，尤其涉及一種絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)驅(qū)動電路和電磁加熱設備。

背景技術

電磁加熱產(chǎn)品依靠交變磁場在鍋底產(chǎn)生渦流對鍋具進行加熱，交變磁場是通過大功率器件IGBT的開通關斷使線圈盤和諧振電容諧振產(chǎn)生的。

目前，IGBT的驅(qū)動一般選擇正壓驅(qū)動和關斷的推挽電路實現(xiàn)。IGBT在關斷時，推挽電路中下臂的三極管將IGBT的驅(qū)動電壓拉低到0V，從而關斷IGBT。

但是，由于IGBT在關斷過程中，IGBT的柵極和發(fā)射極之間會產(chǎn)生很高的瞬態(tài)高壓，干擾了柵極電壓，可能造成IGBT的誤開通。

實用新型內(nèi)容

為了解決背景技術中提到的至少一個問題，本實用新型提供一種IGBT驅(qū)動電路和電磁加熱設備，通過提供一定的反向關斷電壓關斷IGBT，提高了IGBT的耐壓能力，避免了IGBT誤開通。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種IGBT驅(qū)動電路，包括：推挽電路、第一電阻、第三電阻、第一電容和穩(wěn)壓二極管；第一電容與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)，推挽電路的第一端與第一電阻的第一端連接，第一電阻的第二端與穩(wěn)壓二極管的負極連接，穩(wěn)壓二極管的正極與推挽電路的第二端連接且接地，第三電阻的第一端與推挽電路的第三端連接，第三電阻的第二端與穩(wěn)壓二極管的負極連接；推挽電路的第三端用于輸入基準電壓，推挽電路的第四端用于輸入IGBT驅(qū)動信號，第一電阻的第一端還用于連接IGBT的柵極，第一電阻的第二端還用于連接IGBT的發(fā)射極；在IGBT驅(qū)動信號為高電平時，推挽電路的第一端為電流輸出端；在IGBT驅(qū)動信號為低電平時，推挽電路的第一端為電流輸入端。

如上的IGBT驅(qū)動電路，當IGBT驅(qū)動信號為低電平用于關斷IGBT時，通過第一電容和穩(wěn)壓二極管可以為IGBT提供反向的關斷電壓。即使IGBT在關斷過程中出現(xiàn)關斷噪聲，依然使得IGBT處于關斷狀態(tài)，提升了IGBT的耐壓性能，避免了誤開通。同時，由于提供了反向關斷電壓，因此縮短了關斷時間，減少了關斷損耗，提升了IGBT的工作穩(wěn)定性。

在本實用新型的一實施例中，還包括第二電容，第二電容與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)。

在本實用新型的一實施例中，推挽電路的第一端與第一電阻的第一端之間串聯(lián)有第二電阻。

在本實用新型的上述實施例中，推挽電路包括：第一三極管、第二三極管、第四電阻和第五電阻；第一三極管的集電極與第五電阻的第一端連接，第一三極管的發(fā)射極與第四電阻的第一端連接，第一三極管的基極分別與第二三極管的基極和第五電阻的第二端連接，第二三極管的發(fā)射極與第四電阻的第二端連接；第一三極管的集電極作為推挽電路的第三端，第一三極管的基極作為推挽電路的第四端，第二三極管的發(fā)射極作為推挽電路的第一端，第二三極管的集電極作為推挽電路的第二端。

在本實用新型的上述實施例中，第一電容為電解電容。