[實(shí)用新型]一種具有防電流逆轉(zhuǎn)終端保護(hù)膜的平面整流二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721866678.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207602576U | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃福仁;黃賽琴;陳輪興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建安特微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/861 | 分類號(hào): | H01L29/861;H01L23/367 |
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| 地址: | 351100 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 管體 底端 保護(hù)膜 整流二極管 散熱器 二氧化硅保護(hù)層 逆轉(zhuǎn) 一端設(shè)置 正極引線 正中位置 終端 接觸層 金屬絲 電層 絕緣層 本實(shí)用新型 頂端設(shè)置 負(fù)極引線 內(nèi)部設(shè)置 散熱孔 電極 基板 | ||
本實(shí)用新型公開了一種具有防電流逆轉(zhuǎn)終端保護(hù)膜的平面整流二極管,包括管體,管體的外表面設(shè)置有散熱孔,管體的外表面設(shè)置有絕緣層,管體的一端設(shè)置有負(fù)極引線,管體的另一端設(shè)置有正極引線,正極引線的外表面設(shè)置有保護(hù)膜,管體的內(nèi)部設(shè)置有N型硅,N型硅的頂端設(shè)置有二氧化硅保護(hù)層,二氧化硅保護(hù)層的正中位置設(shè)置有電極,N型硅的正中位置設(shè)置有P型硅,P型硅的底端設(shè)置有PN結(jié),PN結(jié)的底端設(shè)置有金屬絲,N型硅的底端設(shè)置有接觸層,接觸層的底端設(shè)置有基板,N型硅的一側(cè)設(shè)置有散熱器,管體的底端設(shè)置有阻電層,因此該種具有防電流逆轉(zhuǎn)終端保護(hù)膜的平面整流二極管利用金屬絲、散熱器和阻電層實(shí)現(xiàn)了提升運(yùn)行速度和提高效率的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種具有防電流逆轉(zhuǎn)終端保護(hù)膜的平面整流二極管。
背景技術(shù)
二極管,電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能,而變?nèi)荻O管則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器,大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流”功能,二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷 (稱為逆向偏壓),因此,二極管可以想成電子版的逆止閥,二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷须娮佣O管和晶體二極管之分,所以現(xiàn)已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極管,二極管的單向?qū)щ娞匦裕瑤缀踉谒械碾娮与娐分校家玫桨雽?dǎo)體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用也非常廣泛。
但現(xiàn)有的大多數(shù)的二極管功能不夠全面,當(dāng)二極管沾了水或暴露在潮濕的空氣中,二極管極有可能會(huì)發(fā)生短路或電流逆轉(zhuǎn),從而造成二極管損壞,且電流運(yùn)行速度緩慢,導(dǎo)致效率低和損耗大。
所以,如何設(shè)計(jì)一種具有防電流逆轉(zhuǎn)終端保護(hù)膜的平面整流二極管,成為我們當(dāng)前要解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有防電流逆轉(zhuǎn)終端保護(hù)膜的平面整流二極管,以解決上述背景技術(shù)中提出運(yùn)行速度緩慢導(dǎo)致效率低和損耗大的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種具有防電流逆轉(zhuǎn)終端保護(hù)膜的平面整流二極管,包括管體,所述管體的外表面設(shè)置有散熱孔,所述管體的外表面設(shè)置有絕緣層,所述管體的一端設(shè)置有負(fù)極引線,所述管體的另一端設(shè)置有正極引線,所述正極引線的外表面設(shè)置有保護(hù)膜,所述管體的內(nèi)部設(shè)置有N型硅,所述N型硅的頂端設(shè)置有二氧化硅保護(hù)層,所述二氧化硅保護(hù)層的正中位置設(shè)置有電極,所述N型硅的正中位置設(shè)置有P型硅,所述P型硅的底端設(shè)置有PN結(jié),所述PN結(jié)的底端設(shè)置有金屬絲,所述N型硅的底端設(shè)置有接觸層,所述接觸層的底端設(shè)置有基板,所述N型硅的一側(cè)設(shè)置有散熱器,所述管體的底端設(shè)置有阻電層。
進(jìn)一步的,所述散熱孔設(shè)置有多個(gè),且所述散熱孔均勻分布在管體上。
進(jìn)一步的,所述金屬絲由多種金屬加工而成,且所述金屬絲從左至右貫穿整個(gè)管體。
進(jìn)一步的,所述負(fù)極引線外形呈“圓柱體”,且所述負(fù)極引線與管體緊密連接。
進(jìn)一步的,所述散熱器呈“矩形”,且所述散熱器與管體緊密結(jié)合。
進(jìn)一步的,所述阻電層的內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)電阻元件,且每個(gè)電阻元件大小相同。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





