[實用新型]背照式圖像傳感器

有效

• 申請號: 201721854424.X
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN207834299U
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 趙立新;李杰
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導體材料層；

位于半導體材料層的光電二極管；

轉移晶體管、浮置擴散區、源跟隨晶體管、復位晶體管；

其中，所述光電二極管為P型摻雜區域；所述源跟隨晶體管為鰭式場效應晶體管，所述源跟隨晶體管的溝道區區域為橫梁結構，所述橫梁結構具有頂面和兩個側面，源跟隨晶體管的柵極覆蓋所述頂面和兩個側面的至少其中一面；所述源跟隨晶體管為NMOS晶體管。

2.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述源跟隨晶體管的橫梁結構底部對應的半導體材料層具有P型摻雜區域，所述P型摻雜區域與光電二極管的P型摻雜區域之間由N型摻雜區域隔離。

3.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，相鄰光電二極管之間由N型摻雜區域隔離。

4.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管的上部具有N型釘扎層。

5.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述浮置擴散區為橫梁結構，所述浮置擴散區耦接于源跟隨晶體管的柵極。