[實(shí)用新型]基于電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試電路及系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721852955.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207636714U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范旺清;張婷 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京大豪科技股份有限公司;諸暨興大豪科技開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R31/28 | 分類(lèi)號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 于江微;劉芳 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)試電路 電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路 本實(shí)用新型 續(xù)流二極管 輸入端 二極管測(cè)試 負(fù)極連接 正極連接 并聯(lián) 電路 自動(dòng)化 測(cè)試 | ||
1.一種基于電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試電路,其特征在于,所述測(cè)試電路包括:相互并聯(lián)的金屬氧化物半導(dǎo)體MOS管測(cè)試電路和二極管測(cè)試電路,二者的第一輸入端均與所述電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路中續(xù)流二極管的負(fù)極連接,二者的第二輸入端均與所述續(xù)流二極管的正極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試電路,其特征在于,所述MOS管測(cè)試電路包括繼電器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試電路,其特征在于,當(dāng)所述電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路的電源電壓為非24伏特時(shí),所述MOS管測(cè)試電路包括電磁鐵;
所述二極管測(cè)試電路的輸出電壓為:
其中,VF為所述電磁鐵產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì),VZ為穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓數(shù)值,VS為電磁鐵電源電壓,V為所述二極管測(cè)試電路的輸出電壓,R2為第二電阻、R3為第三電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試電路,其特征在于,所述二極管測(cè)試電路包括:穩(wěn)壓二極管、運(yùn)放、RC電路、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第五電阻;
其中,所述第二電阻的一端作為所述二極管測(cè)試電路的第一輸入端,所述第二電阻的另一端通過(guò)所述第五電阻與所述運(yùn)放的反相輸入端連接;
所述第一電阻的一端作為所述二極管測(cè)試電路的第二輸入端,所述穩(wěn)壓二極管的輸入端與所述第一電阻的另一端連接,所述穩(wěn)壓二極管的輸出端與所述運(yùn)放的同相輸入端連接,所述運(yùn)放的輸出端與外部智能單元連接;
所述第二電阻的另一端還通過(guò)所述第三電阻接地,所述穩(wěn)壓二極管的輸出端還通過(guò)所述RC電路接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試電路,其特征在于,所述RC電路包括相互并聯(lián)的電容和第四電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的測(cè)試電路,其特征在于,所述二極管測(cè)試電路還包括:第六電阻,所述第六電阻的一端與所述運(yùn)放的反相輸入端連接,所述第六電阻的另一端與所述運(yùn)放的輸出端連接;
所述二極管測(cè)試電路的輸出電壓為:
其中,VF為所述電磁鐵產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì),VZ為穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓數(shù)值,VS為電磁鐵電源電壓,V為所述二極管測(cè)試電路的輸出電壓,R2為所述第二電阻、R3為所述第三電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試電路,其特征在于,將所述續(xù)流二極管替換為瞬態(tài)抑制二極管或MOS開(kāi)關(guān)管。
8.一種測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,包括:電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路和如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的測(cè)試電路,所述電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路包括:金屬氧化物半導(dǎo)體MOS管和續(xù)流二極管,所述MOS管的漏極與所述續(xù)流二極管的正極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,當(dāng)測(cè)試電路如權(quán)利要求6所述的測(cè)試電路時(shí),將所述續(xù)流二極管替換為瞬態(tài)抑制二極管或MOS開(kāi)關(guān)管。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,還包括:
智能單元,所述智能單元與所述二極管測(cè)試電路中運(yùn)放的輸出端連接,所述智能單元用于對(duì)所述運(yùn)放的輸出信號(hào)進(jìn)行處理,并對(duì)所述電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路是否異常進(jìn)行判定。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線(xiàn)路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線(xiàn)或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 手機(jī)開(kāi)關(guān)機(jī)測(cè)試電路
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