[實用新型]一種絕緣柵雙極晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721830403.4
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN207624704U
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸江;劉海南;蔡小五;卜建輝;羅家俊
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 房德權(quán)

本申請?zhí)峁┑囊环N絕緣柵雙極晶體管，涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，包括：通過N+發(fā)射極，Pwell區(qū)域，所述Pwell區(qū)域位于所述N+發(fā)射極的下方，其中所述Pwell區(qū)域中設(shè)置有第一槽柵和第二槽柵；N漂移區(qū)，所述N漂移區(qū)位于所述Pwell區(qū)域的下方；載流子存儲層，所述載流子存儲層位于所述Pwell區(qū)域的下方，且，所述載流子存儲層設(shè)置在所述第一槽柵和所述第二槽柵之間；P注入層，所述P注入層位于所述第一槽柵和所述第二槽柵的下方；在無圓胞區(qū)域引入肖特基接觸的空穴阻擋結(jié)構(gòu)。解決了現(xiàn)有技術(shù)中的絕緣柵雙極晶體管載流子存儲層技術(shù)濃度提高后，導(dǎo)致絕緣柵雙極晶體管耐壓降低的技術(shù)問題，達(dá)到了在大幅度降低導(dǎo)通壓降同時，能夠維持原有的耐壓能力，從而全面提升器件的各項參數(shù)能力的技術(shù)效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別涉及一種絕緣柵雙極晶體管。

背景技術(shù)

絕緣柵雙極晶體管是目前高壓、大電流領(lǐng)域核心功率半導(dǎo)體器件之一。為了不斷改善器件特性，實現(xiàn)器件的最佳參數(shù)性能，減小器件導(dǎo)通態(tài)飽和壓降是最主要的優(yōu)化努力方向之一。

但本申請實用新型人在實現(xiàn)本申請實施例中實用新型技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題：

現(xiàn)有技術(shù)中的絕緣柵雙極晶體管載流子存儲層技術(shù)濃度提高后，導(dǎo)致絕緣柵雙極晶體管耐壓降低。

實用新型內(nèi)容

本申請實施例通過提供一種絕緣柵雙極晶體管，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的絕緣柵雙極晶體管載流子存儲層技術(shù)濃度提高后，導(dǎo)致絕緣柵雙極晶體管耐壓降低的技術(shù)問題，達(dá)到了在大幅度降低導(dǎo)通壓降同時，能夠維持原有的耐壓能力，從而全面提升器件的各項參數(shù)能力的技術(shù)效果。

鑒于上述問題，提出了本申請實施例以便提供一種克服上述問題的一種絕緣柵雙極晶體管，包括：N+發(fā)射極，Pwell區(qū)域，所述Pwell區(qū)域位于所述 N+發(fā)射極的下方，其中所述Pwell區(qū)域中設(shè)置有第一槽柵和第二槽柵；N漂移區(qū)，所述N漂移區(qū)位于所述Pwell區(qū)域的下方；載流子存儲層，所述載流子存儲層位于所述Pwell區(qū)域的下方，且，所述載流子存儲層設(shè)置在所述第一槽柵和所述第二槽柵之間；P注入層，所述P注入層位于所述第一槽柵和所述第二槽柵的下方，其中，所述晶體管還包括：在無圓胞區(qū)域引入肖特基接觸的空穴阻擋結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述晶體管還包括：所述P注入層形成接地電勢。

優(yōu)選的，所述晶體管還包括：所述肖特基接觸與N+發(fā)射極的金屬連接，形成接地。

優(yōu)選的，所述晶體管還包括：在所述無圓胞區(qū)域所對應(yīng)N+發(fā)射極中，所述N+發(fā)射極包括第一氧化層和第二氧化層，其中，所述第一氧化層和第二氧化層之間為與所述肖特基接觸的金屬。

本申請實施例中提供的一個或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn)：

1.本申請實施例提供的一種絕緣柵雙極晶體管，通過N+發(fā)射極，Pwell 區(qū)域，所述Pwell區(qū)域位于所述N+發(fā)射極的下方，其中所述Pwell區(qū)域中設(shè)置有第一槽柵和第二槽柵；N漂移區(qū)，所述N漂移區(qū)位于所述Pwell區(qū)域的下方；載流子存儲層，所述載流子存儲層位于所述Pwell區(qū)域的下方，且，所述載流子存儲層設(shè)置在所述第一槽柵和所述第二槽柵之間；P注入層，所述P 注入層位于所述第一槽柵和所述第二槽柵的下方，其中，所述晶體管還包括：在無圓胞區(qū)域引入肖特基接觸的空穴阻擋結(jié)構(gòu)。解決了現(xiàn)有技術(shù)中的絕緣柵雙極晶體管載流子存儲層技術(shù)濃度提高后，導(dǎo)致絕緣柵雙極晶體管耐壓降低的技術(shù)問題，達(dá)到了在大幅度降低導(dǎo)通壓降同時，能夠維持原有的耐壓能力，從而全面提升器件的各項參數(shù)能力的技術(shù)效果。

2.本申請實施例通過所述P注入層形成接地電勢，進(jìn)一步達(dá)到了對高濃度N型載流子存儲層實現(xiàn)屏蔽效果，故也不需要選擇選擇過高的P注入?yún)^(qū)域濃度，不會對電子注入帶來影響的技術(shù)效果。