[實用新型]一種霍爾基片結構及霍爾傳感器有效
| 申請號： | 201721830326.2 | 申請日： | 2017-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN207624732U | 公開（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發明（設計）人： | 陸江;劉海南;卜建輝;張國歡;羅家俊 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06;H01L43/04;G01R33/07 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電極 填充區 氧化層 霍爾傳感器 基片結構 霍爾 半導體器件技術 工藝控制能力 技術使用 技術效果 靈敏度 鎖存器 擠壓 申請 保證 | ||
【權利要求書】：
1.一種霍爾基片結構，其特征在于，所述霍爾基片結構包括：
N阱；
電極VHA，所述電極VHA設置在所述N阱上；
電極VHB，所述電極VHB設置在所述N阱上；
氧化層填充區，所述氧化層填充區設置在所述N阱上；
其中，所述氧化層填充區的兩側分別為所述電極VHA和所述電極VHB。
2.如權利要求1所述的霍爾基片結構，其特征在于，所述霍爾基片結構還包括：
所述氧化層填充區為挖槽刻蝕方式形成。
3.如權利要求1所述的霍爾基片結構，其特征在于，所述霍爾基片結構還包括：
所述氧化層填充區為二氧化硅填充區。
4.一種霍爾傳感器，其特征在于，所述霍爾傳感器包括一霍爾基片結構，其中，所述霍爾基片結構包括：
N阱；
電極VHA，所述電極VHA設置在所述N阱上；
電極VHB，所述電極VHB設置在所述N阱上；
氧化層填充區，所述氧化層填充區設置在所述N阱上；
其中，所述氧化層填充區的兩側分別為所述電極VHA和所述電極VHB。
5.如權利要求4所述的霍爾傳感器，其特征在于，所述霍爾基片結構還包括：
所述氧化層填充區為挖槽刻蝕方式形成。
6.如權利要求4所述的霍爾傳感器，其特征在于，所述霍爾基片結構還包括：
所述氧化層填充區為二氧化硅填充區。
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