[實(shí)用新型]一種RC-IGBT的背面設(shè)計(jì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721817507.1 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207602542U | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戚麗娜;張景超;俞義長(zhǎng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇宏微科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/8222 | 分類號(hào)： | H01L21/8222;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676 | 代理人： | 楊覓 |
| 地址： | 213000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 背面 可調(diào) 寄生二極管 光刻版 壓降 阻擋 本實(shí)用新型 正向?qū)?/a> 兩層 開口 尺寸設(shè)計(jì) 摻雜區(qū) 第一層 靈活度 光刻 | ||
1.一種RC-IGBT的背面設(shè)計(jì)，其特征在于，該RC-IGBT的背面設(shè)計(jì)包括背面注入使用兩層光刻版，一層用于N+注入，一層用于P+注入，最終背面N+摻雜區(qū)呈T型結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)寄生二極管VF可調(diào)，IGBT壓降可調(diào)，正向?qū)〞r(shí)起到抑制甚至是消除Snapback現(xiàn)象的作用。
2.如權(quán)利要求1所述的RC-IGBT的背面設(shè)計(jì)，其特征在于，兩層光刻版，第一層用于阻擋N+注入，未阻擋部分開口尺寸L1，第二層用于阻擋P+注入，阻擋部分開口尺寸L2，L1>L2，通過調(diào)整L1和L2的尺寸可以調(diào)整寄生二極管VF，IGBT壓降及snapback曲線。
3.如權(quán)利要求2所述的RC-IGBT的背面設(shè)計(jì)，其特征在于，所述L1大于60um且L2小于60um。
4.如權(quán)利要求1所述的RC-IGBT的背面設(shè)計(jì)，其特征在于，先完成背面N+帶膠注入，P的注入劑量為1E14-1E15/cm2,注入能量為60-100Kev，再完成背面P+帶膠注入，B或BF2的注入劑量為1E13-1E14/cm2,注入能量為20-60Kev，通過此工藝順序，可以完成背面N+摻雜區(qū)形成T型結(jié)構(gòu)摻雜分布。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
