[實(shí)用新型]鋰離子手機(jī)電池保護(hù)電路裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721816437.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207835044U | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙東興;繆東芳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津力神電池股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H7/18 | 分類號(hào): | H02H7/18;H02J7/00 |
| 代理公司: | 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 12107 | 代理人: | 劉英蘭 |
| 地址: | 300384 天津市西青區(qū)濱*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路 保護(hù)電路裝置 集成電路保護(hù) 本實(shí)用新型 電路保護(hù)板 手機(jī)電池 鋰離子 電池組 芯片 高頻濾波電容 輸出端正負(fù)極 測(cè)試 電路設(shè)計(jì) 濾波電容 應(yīng)用效果 整機(jī)測(cè)試 電容 保護(hù)板 手機(jī)端 正負(fù)極 并聯(lián) 電芯 手機(jī) 引腳 雜散 電池 輻射 認(rèn)證 節(jié)約 開發(fā) | ||
本實(shí)用新型涉及一種鋰離子手機(jī)電池保護(hù)電路裝置,該裝置設(shè)有電路保護(hù)板,該電路保護(hù)板的電路包括集成電路保護(hù)芯片U1、MOSFET晶體管Q1、電容C1、C3、C4及C6,其容值為μF級(jí),典型值0.1μF;在保護(hù)板電路中集成電路保護(hù)芯片U1的引腳VDD和VSS兩端并聯(lián)一個(gè)8.2pF的濾波電容C5;電路中B+、B?連接電芯的正負(fù)極,P+、P?為電池組的成品輸出端正負(fù)極。輻射雜散(RSE)測(cè)試是手機(jī)在CCC認(rèn)證中的重點(diǎn)必測(cè)項(xiàng)目。在手機(jī)端整機(jī)測(cè)試失效的情況下,通過(guò)在電池端的保護(hù)電路上增加pF級(jí)的高頻濾波電容,能有效的改善上述難題,從而順利通過(guò)測(cè)試,能夠提高開發(fā)產(chǎn)品的效率。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,電路設(shè)計(jì)合理,使用方便,節(jié)約成本,應(yīng)用效果非常顯著。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種手機(jī)電池保護(hù)裝置,特別涉及一種鋰離子手機(jī)電池保護(hù)電路裝置。
背景技術(shù)
目前,輻射雜散(RSE)測(cè)試是手機(jī)在CCC認(rèn)證中的重點(diǎn)必測(cè)項(xiàng)目。在手機(jī)電池保護(hù)板電路以往設(shè)計(jì)中器件IC的外圍電路中電容均是μF級(jí)的電容。在手機(jī)整機(jī)RSE輻射雜散測(cè)試中,由于手機(jī)電路設(shè)計(jì)等多種因素影響,會(huì)出現(xiàn)不合格的情況,即GSM1800下測(cè)試結(jié)果大于-30dbm(標(biāo)準(zhǔn)為小于-30dbm);從而直接影響測(cè)試運(yùn)作及產(chǎn)品開發(fā)的效率。
因此,需要開發(fā)一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、電路設(shè)計(jì)合理、應(yīng)用效果顯著的鋰離子手機(jī)電池保護(hù)電路裝置,是該領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)著手解決的問(wèn)題之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、電路設(shè)計(jì)合理、應(yīng)用效果顯著的鋰離子手機(jī)電池保護(hù)電路裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的本實(shí)用新型采用技術(shù)方案是:一種鋰離子手機(jī)電池保護(hù)電路裝置,其特征在于該裝置設(shè)有電路保護(hù)板,該電路保護(hù)板的電路包括集成電路保護(hù)芯片U1、MOSFET晶體管Q1、電容C1、C3、C4及C6,其容值為μF級(jí),且典型值0.1μF;在保護(hù)板電路中集成電路保護(hù)芯片U1的引腳VDD和VSS兩端并聯(lián)一個(gè)濾波電容C5;電路中B+、B-連接電芯的正負(fù)極,P+、P-為電池組的成品輸出端正負(fù)極。
所述濾波電容C5容值為8.2pF。
本實(shí)用新型的有益效果是:在手機(jī)端整機(jī)測(cè)試失效的情況下,通過(guò)在電池端的保護(hù)電路上增加pF級(jí)的高頻濾波電容,能有效的改善上述由于手機(jī)電路設(shè)計(jì)等多種因素影響出現(xiàn)的不合格的情況,即GSM1800下測(cè)試結(jié)果大于-30dbm(標(biāo)準(zhǔn)為小于-30dbm)等問(wèn)題,從而順利通過(guò)測(cè)試,提高產(chǎn)品開發(fā)效率。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,電路設(shè)計(jì)合理,使用方便,節(jié)約成本,應(yīng)用效果非常顯著。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型的手機(jī)電池保護(hù)板電路原理圖;
圖中:集成電路保護(hù)芯片U1,晶體管Q1,電容C1、C3、C4、C5、C6,電阻R1、R2,普通電阻ID及熱敏電阻NTC。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和較佳實(shí)施例,對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提供的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征詳述如下:
如圖1所示,一種鋰離子手機(jī)電池保護(hù)電路裝置,該裝置設(shè)有電路保護(hù)板,該電路保護(hù)板的電路包括集成電路保護(hù)芯片U1、MOSFET晶體管Q1、電容C1、C3、C4及C6,其容值為μF級(jí)(典型值0.1μF), 在保護(hù)板電路中集成電路保護(hù)芯片U1的引腳 VDD和VSS兩端并聯(lián)一個(gè)8.2pF的濾波電容C5。增設(shè)8.2pF濾波電容C5并經(jīng)認(rèn)證測(cè)試機(jī)構(gòu)測(cè)試之后,結(jié)果有顯著提升,測(cè)試順利通過(guò),有效解決了客戶端手機(jī)射頻測(cè)試失效的問(wèn)題。電路中B+、B-連接電芯的正負(fù)極,P+、P-為電池組的成品輸出端正負(fù)極。
集成電路保護(hù)芯片 U1、MOSFET晶體管Q1、電阻R1、R2、電容C1等是電路保護(hù)板電性能功能的主要器件,集成電路保護(hù)芯片U1及外圍電阻、電容能檢測(cè)到電池的過(guò)充電電壓、欠壓放電、充放電過(guò)流等,通過(guò)控制MOSFET晶體管Q1的關(guān)斷起到保護(hù)的功能。ID及NTC根據(jù)需求不同進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置。
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