[實用新型]一種功率模塊封裝結構

有效

• 申請號: 201721815994.8
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN207664044U
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 張敏;麻長勝;聶世義;王曉寶;趙善麒
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 李浩

本實用新型屬于晶體管結構技術領域，具體涉及一種功率模塊封裝結構。其包括基板，所述基板上釬焊兩個直接敷銅基板，所述兩個直接敷銅基板上釬焊IGBT芯片和二極管芯片，功率端子和控制功率端子通過釬焊或超聲焊接于所述直接敷銅基板，兩個所述直接敷銅基板均設置集電極、發射極和控制極，一個所述直接敷銅基板的集電極通過鋁線或銅線連接另一個所述直接敷銅基板的發射極，一個所述直接敷銅基板的控制極連接另一個所述直接敷銅基板。本實用新型工藝結構簡單，兼容性好，批次生產中個體雜散參數差異小。

技術領域

本實用新型屬于晶體管結構技術領域，具體涉及一種功率模塊封裝結構。

背景技術

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；功率模塊主要包括基板、直接敷銅基板、功率半導體芯片和功率端子。在對模塊中的內部連接結構進行設計時，要考慮到熱設計、結構應力設計、EMC設計和電路結構設計，同時要兼顧工藝可靠性、生產成本和產品的電特性一致性。

現在的功率模塊設計中，存在的主要問題是產品的兼容性不夠、熱設計不合理、生產成本高、電特性一致性不足。傳統工藝是使用金屬線，材質比較軟，封裝過程中需要對其進行人工纏繞或固定，個體之間差異比較大。普通金屬線的焊接作業，對操作和夾具設計要求非常高。

實用新型內容

針對現有技術上存在的不足，本實用新型提供一種工藝結構簡單、兼容性好、批次生產中個體雜散參數差異小的功率模塊封裝結構。

為了實現上述目的，本實用新型是通過如下的技術方案來實現：

一種功率模塊封裝結構，其包括基板，所述基板上釬焊兩個直接敷銅基板，所述兩個直接敷銅基板上釬焊IGBT芯片和二極管芯片，功率端子和控制功率端子通過釬焊或超聲焊接于所述直接敷銅基板，兩個所述直接敷銅基板均設置集電極、發射極和控制極，一個所述直接敷銅基板的集電極通過鋁線或銅線連接另一個所述直接敷銅基板的發射極，一個所述直接敷銅基板的控制極連接另一個所述直接敷銅基板。

上述的一種功率模塊封裝結構，其所述集電極通過釬焊或超聲焊接由所述功率端子引出。

上述的一種功率模塊封裝結構，其所述集電極設置于所述直接敷銅基板的中間區域。

上述的一種功率模塊封裝結構，其每個所述直接敷銅基板上的控制極和發射極均設置于所述集電極的兩側，且兩個控制極和發射極分別設置于所述直接敷銅基板相對的兩側。

上述的一種功率模塊封裝結構，其還包括支撐架，所述支撐架通過卡槽連接所述控制功率端子。

上述的一種功率模塊封裝結構，其還包括貼片電阻，所述貼片電阻設置于所述一個直接敷銅基板的控制極上。

有益效果：

本實用新型將基板和直接敷銅基板通過釬焊結合，每塊直接敷銅基板上設置控制極、集電極和發射極組成，控制端子的布線集中在直接敷銅基板上，然后通過釬焊將控制功率端子與直接敷銅基板相連，工藝結構簡單，兼容性好，批次生產中個體雜散參數差異小。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式來詳細說明本實用新型；

圖1為本實用新型實施例的結構示意圖。

圖2為本實用新型實施例的連接示意圖。

圖3為本實用新型實施例的電路拓撲圖。