[實用新型]溝槽功率MOS器件

有效

• 申請號: 201721813440.4
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN207624702U
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 黃彥智;陸佳順;楊潔雯
• 申請（專利權）人: 蘇州硅能半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

1.一種溝槽功率MOS器件，所述MOS器件包括至少2個MOS器件單元（6），所述MOS器件單元（6）進一步包括位于有源區中源極（1）和柵極（2），有源區外圍設有終端保護結構（3），所述柵極（2）自上而下包含柵電極金屬層（8）、絕緣介質層（9）、絕緣柵氧化層（10）、P型摻雜層（11）、N型外延層（12）以及N型襯底（13）；

在柵電極金屬層（8）下方的絕緣介質層（9）上開有接觸孔（17），柵電極金屬層（8）從該接觸孔（17）中向下延伸至導電多晶硅（16）頂部，并與導電多晶硅（16）直接相連；所述導電多晶硅（16）淀積于溝槽（15）中，在柵電極金屬層（8）下方設有溝槽（15），該溝槽（15）位于P型摻雜層（11），溝槽（15）底部伸入N型外延層（12），溝槽（15）內壁表面生長有絕緣柵氧化層（10），溝槽（15）內淀積有導電多晶硅（16），從而形成溝槽型導電多晶硅（14）；

其特征在于：相鄰MOS器件單元（6）之間的P型摻雜層（11）、N型外延層（12）內具有一輕摻雜N型錐形深阱部（18）和重摻雜N型阱接觸區（19），此輕摻雜N型錐形深阱部（18）的上端延伸至絕緣介質層（9）的下表面，所述輕摻雜N型錐形深阱部（18）的下端嵌入N型外延層（12）內，所述重摻雜N型阱接觸區（19）位于N型外延層（12）內，所述輕摻雜N型錐形深阱部（18）下端與重摻雜N型阱接觸區（19）上表面接觸，所述輕摻雜N型錐形深阱部（18）的深度與溝槽（15）的深度比例為10：（8~12）。

2.根據權利要求1所述的溝槽功率MOS器件，其特征在于：所述輕摻雜N型錐形深阱部（18）上端開口寬度與下端開口寬度比例為10：（2~4）。

3.根據權利要求1所述的溝槽功率MOS器件，其特征在于：所述輕摻雜N型錐形深阱部（18）的側壁與底部的夾角為100°~130°。