[實(shí)用新型]IGBT驅(qū)動器雙脈沖試驗(yàn)平臺有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721812409.9 | 申請日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN207799018U | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沙小宇 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫思創(chuàng)電力電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 214177 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 繼電器 雙脈沖 電容器 高壓電源模塊 本實(shí)用新型 電流探頭 試驗(yàn)平臺 大電流 高電壓 電阻 電感 電容器并聯(lián) 工作效率高 測試裝置 低壓電源 電阻并聯(lián) 電流源 高壓差 試驗(yàn)臺 并聯(lián) 探頭 上橋 下橋 | ||
本實(shí)用新型公開了一種IGBT驅(qū)動器雙脈沖試驗(yàn)平臺,其包括高壓電源模塊、第一繼電器、電容器、第一電阻、第二繼電器、上橋、電感、低壓電源、下橋、高壓差分探頭、電流探頭、電流源、IGBT驅(qū)動器,高壓電源模塊與第一繼電器相連,第一繼電器與電容器并聯(lián),電容器與高壓電源模塊相連,電容器與第一電阻并聯(lián),第一電阻與第二繼電器并聯(lián),第二繼電器與電流探頭相連等。本實(shí)用新型能夠高電壓大電流、工作效率高的IGBT驅(qū)動模塊雙脈沖測試裝置,以滿足高電壓大電流雙脈沖試驗(yàn)臺的要求。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種平臺,特別是涉及一種IGBT驅(qū)動器雙脈沖試驗(yàn)平臺。
背景技術(shù)
目前,高電壓、大電流的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)已經(jīng)模塊化,它的驅(qū)動電路現(xiàn)已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動電路,其性能更好,可靠性更高,體積更小,會在今后大功率的應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位;然而,高壓大容量的IGBT模塊至今還缺少簡單、可靠的動態(tài)特性測試手段,一些測試儀器只能測量IGBT模塊的靜態(tài)參數(shù),無法獲取其動態(tài)特性參數(shù),對今后的商業(yè)化應(yīng)用缺乏指導(dǎo)與參考。通過在被測IGBT模塊的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓和負(fù)電壓,既可控制其開通,也可控制其關(guān)斷,給IGBT模塊發(fā)兩次PWM脈沖,封鎖兩次PWM(Pulse Width Modulation,脈沖寬度調(diào)制)脈沖,使IGBT模塊經(jīng)受開通-關(guān)斷-開通-關(guān)斷過程,來考核模塊承受過電流的能力以及掌握其開通和關(guān)斷特性,為高電壓、大電流IGBT模塊的應(yīng)用提供參考和依據(jù)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種IGBT驅(qū)動器雙脈沖試驗(yàn)平臺,其能夠高電壓大電流、工作效率高的IGBT驅(qū)動模塊雙脈沖測試裝置,以滿足高電壓大電流雙脈沖試驗(yàn)臺的要求。
本實(shí)用新型是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的:一種IGBT驅(qū)動器雙脈沖試驗(yàn)平臺,其包括高壓電源模塊、第一繼電器、電容器、第一電阻、第二繼電器、上橋、電感、低壓電源、下橋、高壓差分探頭、電流探頭、電流源、IGBT驅(qū)動器,高壓電源模塊與第一繼電器相連,第一繼電器與電容器并聯(lián),電容器與高壓電源模塊相連,電容器與第一電阻并聯(lián),第一電阻與第二繼電器并聯(lián),第二繼電器與電流探頭相連,電流探頭與電流源相連,電流源與高壓差分探頭相連,高壓差分探頭與下橋相連,下橋與IGBT驅(qū)動器相連,IGBT驅(qū)動器與電流探頭相連,下橋與低壓電源相連,低壓電源與上橋相連,上橋與電感相連,電感與第一電阻并聯(lián),其中:
高壓電源模塊包括第十電阻、第十二極管、第十一二極管、第十二二極管、第十三二極管、第十四二極管、第十五二極管、第十電容、第十二電阻、第十三電阻、第十三極管,第十電阻與第十二極管并聯(lián),第十二極管與第十一二極管并聯(lián),第十一二極管與第十二二極管并聯(lián),第十二二極管與第十三二極管并聯(lián),第十三二極管與第十二極管并聯(lián),第十二二極管與第十四二極管并聯(lián),第十四二極管與第十電容并聯(lián),第十四二極管與第十二電阻并聯(lián),第十二電阻一端接地,第十二電阻與第十三極管發(fā)射極相連,第十三極管基極與第十五二極管相連,第十五二極管與第十三電阻串聯(lián),第十三電阻與第十三二極管并聯(lián);
IGBT驅(qū)動器包括變壓器、第二十電容、第二十二極管、第二十電阻、第二十三極管、第二十一電阻、第二十二電阻、第二十一電容,變壓器第二引腳接地,變壓器第四引腳與第二十電容一端相連,第二十電容另一端與變壓器第三引腳相連,第二十二極管與第二十電容并聯(lián),第二十電容與第二十二極管并聯(lián),第二十二極管與第二十三極管發(fā)射極相連,第二十三極管集電極與第二十二電阻相連,第二十二電阻與第二十一電容串聯(lián),第二十三極管基極與第二十電阻相連,第二十電阻與第二十一電阻并聯(lián),第二十一電阻一端接地。
優(yōu)選地,所述第十二極管、第十一二極管、第十二二極管、第十三二極管組成一個(gè)橋式鎮(zhèn)流二極管。
優(yōu)選地,所述第一繼電器、第二繼電器都采用一種真空繼電器。
優(yōu)選地,所述電容器采用一種直流支撐電容器。
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