[實(shí)用新型]一種太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721807103.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207529943U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 董剛強(qiáng);陸海川;郁操 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 君泰創(chuàng)新（北京）科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/0216 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人： | 陳丹;蘇蕾 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 異質(zhì)結(jié)電池 太陽(yáng)能 摻水 疊層 電池 光學(xué)性能 導(dǎo)通 申請(qǐng) | ||
1.一種太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池包括疊層ITO，所述疊層ITO分別設(shè)置在所述太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池的兩面，所述疊層ITO包括第一不摻水ITO層、摻水ITO透明導(dǎo)電層和第二不摻水ITO層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池每一面上設(shè)有的疊層ITO中：沿遠(yuǎn)離所述太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池的方向，所述第一不摻水ITO層、所述摻水ITO透明導(dǎo)電層和所述第二不摻水ITO層依次疊加設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述摻水ITO透明導(dǎo)電層的厚度為30-50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一不摻水ITO層為微晶態(tài)ITO層，厚度為2-3nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第二不摻水ITO層為多晶態(tài)ITO層，厚度為30-50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池還包括單晶硅片、第一本征非晶硅鈍化層、第二本征非晶硅鈍化層、第一非晶硅摻雜層、第二非晶硅摻雜層、第一電極和第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池從上至下依次包括第一電極、疊層ITO的所述第二不摻水ITO層、所述摻水ITO透明導(dǎo)電層和所述第一不摻水ITO層、第一非晶硅摻雜層、第一本征非晶硅鈍化層、單晶硅片、第二本征非晶硅鈍化層、第二非晶硅摻雜層、疊層ITO的所述第一不摻水ITO層、所述摻水ITO透明導(dǎo)電層和所述第二不摻水ITO層和第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述單晶硅片為n型單晶硅片，厚度為50-300μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一本征非晶硅鈍化層和所述第二本征非晶硅鈍化層的厚度均為1-20nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，
所述第一非晶硅摻雜層和所述第二非晶硅摻雜層的厚度均為3-20nm；
所述第一非晶硅摻雜層為P型非晶硅摻雜層，所述第二非晶硅摻雜層為N型非晶硅摻雜層；或者
所述第一非晶硅摻雜層為N型非晶硅摻雜層，所述第二非晶硅摻雜層為P型非晶硅摻雜層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，
所述第一非晶硅摻雜層和所述第二非晶硅摻雜層的厚度均為3-20nm；
所述第一非晶硅摻雜層為N型非晶硅摻雜層，所述第二非晶硅摻雜層為P型非晶硅摻雜層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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