[實用新型]線性溫度系數電壓輸出電路

有效

• 申請號: 201721801060.9
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN207611304U
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 黃河;郁煒嘉;易坤
• 申請（專利權）人: 上海晶豐明源半導體股份有限公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種線性溫度系數電壓輸出電路，其特征在于，包括：一零溫度系數電壓基準模塊、一線性正溫度系數電壓基準模塊和一加減法模塊，所述零溫度系數電壓基準模塊、所述線性正溫度系數電壓基準模塊均與所述加減法模塊電性連接；

所述零溫度系數電壓基準模塊用于產生零溫度系數電壓基準值，并將所述零溫度系數電壓基準值放大一第一預設放大倍數后傳送至所述加減法模塊；

所述線性正溫度系數電壓基準模塊用于產生線性正溫度系數電壓基準值，并將所述線性正溫度系數電壓基準值放大一第二預設放大倍數后傳送至所述加減法模塊；

所述加減法模塊將放大后的零溫度系數電壓基準值與放大后的線性正溫度系數電壓基準值進行和或差處理后，輸出所述輸出電路的線性溫度系數電壓，從而根據所述線性溫度系數電壓獲得所述輸出電路的溫度。

2.根據權利要求1所述的線性溫度系數電壓輸出電路，其特征在于，所述零溫度系數電壓基準模塊包括：

零溫度系數電壓基準產生單元，用于產生所述零溫度系數電壓基準值；

第一放大單元，與所述零溫度系數電壓基準產生單元和所述加減法模塊電性連接，用于將所述零溫度系數電壓基準值放大后輸出至所述加減法模塊。

3.根據權利要求2所述的線性溫度系數電壓輸出電路，其特征在于，所述零溫度系數電壓基準產生單元包括：一第一三極管、一第二三極管、一第一電阻、一第二電阻、一第一P溝道MOS管、一第二P溝道MOS管、一第一N溝道MOS管、一第三電阻和一第四電阻；

其中，所述第一P溝道MOS管的源極與第二P溝道MOS管的源極電性連接至供電電源，

第一P溝道MOS管的柵極與所述第二P溝道MOS管的柵極電性連接，第一P溝道MOS管的漏極、第一N溝道MOS管的柵極均與第一三極管的集電極電性連接；所述第二P溝道MOS管的漏極電性連接至所述第二三極管的集電極；所述第一三極管的發射極電性連接至第一電阻的一端和第二電阻的一端，所述第一三極管的基極電性連接至所述第二三極管的基極、第三電阻的一端和第四電阻的一端；所述第二三極管的發射極電性連接至第一電阻的另一端，所述第二三極管的基極電性連接至所述第三電阻的一端和所述第四電阻的一端；第二電阻的另一端接地；所述第三電阻的一端電性連接至所述第四電阻的一端，所述第四電阻的另一端接地；第一N溝道MOS管的漏極電性連接至所述第一放大單元；第一N溝道MOS管的源極電性連接至第三電阻的另一端。

4.根據權利要求3所述的線性溫度系數電壓輸出電路，其特征在于，所述第一放大單元包括第三P溝道MOS管和第四P溝道MOS管，所述第三P溝道MOS管的源極與第四P溝道MOS管的源極電性連接至供電電源，所述第三P溝道MOS管的柵極電性連接至所述第四P溝道MOS管的柵極和所述第三P溝道MOS管的漏極，所述第三P溝道MOS管的漏極電性連接至所述第一N溝道MOS管的漏極，所述第四P溝道MOS管的漏極電性連接至所述加減法模塊的第一輸入端。

5.根據權利要求4所述的線性溫度系數電壓輸出電路，其特征在于，所述第一放大單元還包括：第二N溝道MOS管和第三N溝道MOS管，所述第二N溝道MOS管的源極與所述第三N溝道MOS管的源極接地，所述第二N溝道MOS管的漏極電性連接至所述第四P溝道MOS管漏極，所述第二N溝道MOS管的柵極電性連接至所述第二N溝道MOS管的漏極和所述第三N溝道MOS管的柵極，所述第三N溝道MOS管的漏極電性連接至所述加減法模塊的第一輸入端。

6.根據權利要求4所述的線性溫度系數電壓輸出電路，其特征在于，所述線性正溫度系數電壓基準模塊包括：

線性正溫度系數電壓基準產生單元，用于產生線性正溫度系數電壓基準值；

第二放大單元，與所述線性正溫度系數電壓基準產生單元和所述加減法模塊電性連接，用于將所述線性正溫度系數電壓基準值放大后輸出至所述加減法模塊。