[實用新型]一種多孔摻硼金剛石電極有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721798227.0 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN208066372U | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 唐永炳;谷繼騰;楊揚;李子豪;張文軍 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳先進技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | B01J21/18 | 分類號: | B01J21/18;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 摻硼金剛石電極 摻硼金剛石薄膜 光電催化 網(wǎng)狀基體 二氧化鈦納米管 空穴 催化活性位點 本實用新型 高析氧電位 可見光接收 催化活性 自由電子 異質(zhì)結(jié) 內(nèi)阻 光源 消耗 生長 | ||
1.一種多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,包括網(wǎng)狀基體,設(shè)置于所述網(wǎng)狀基體的一側(cè)或兩側(cè)表面的摻硼金剛石薄膜層,以及排布在所述摻硼金剛石薄膜層表面的多根二氧化鈦納米管。
2.如權(quán)利要求1所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述二氧化鈦納米管垂直排布在所述摻硼金剛石薄膜層表面,所述二氧化鈦納米管的總面積占有率為60-80%。
3.如權(quán)利要求2所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述二氧化鈦納米管隨機或規(guī)則垂直排布在所述摻硼金剛石薄膜層表面。
4.如權(quán)利要求1所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述二氧化鈦納米管的直徑為300-600nm。
5.如權(quán)利要求1或4所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述二氧化鈦納米管的直徑為350-500nm。
6.如權(quán)利要求1所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述二氧化鈦納米管的長度為150-850nm。
7.如權(quán)利要求1或6所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述二氧化鈦納米管的長度為200-800nm。
8.如權(quán)利要求1所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述網(wǎng)狀基體的網(wǎng)孔為5-15目。
9.如權(quán)利要求1所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述網(wǎng)狀基體的材質(zhì)包括鈦、鈮、鉭或鎢。
10.如權(quán)利要求1所述的多孔摻硼金剛石電極,其特征在于,所述摻硼金剛石薄膜層的厚度為1-4μm。
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