[實用新型]日盲紫外單光子源

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721793763.1
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN207691196U
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設計）人: 陳飛良;李沫;李倩;張暉;黃鋒;李舒嘯;張健
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: H01S5/32
• 分類號: H01S5/32
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.日盲紫外單光子源，其特征在于：包括襯底及襯底上的量子點嵌埋pin納米線，所述量子點嵌埋pin納米線包括寬禁帶半導體p型層、i型本征層、單量子點和n型層構成，所述寬禁帶半導體p型層、n型層分別位于i型本征層的兩側，單量子點嵌埋于i型本征層內；在量子點嵌埋pin納米線的兩端分別是p型電極和n型電極。

2.日盲紫外單光子源，其特征在于：包括襯底及襯底上的量子點嵌埋pin納米線，所述量子點嵌埋pin薄膜包括寬禁帶半導體p型層、i型本征層、單量子點和n型層構成，所述寬禁帶半導體p型層、n型層分別位于i型本征層的兩側，單量子點嵌埋于i型本征層內；所述量子點嵌埋pin薄膜的上下層分別是p型電極和n型電極。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的日盲紫外單光子源，其特征在于：所述襯底的材質采用絕緣體、半導體或金屬。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的日盲紫外單光子源，其特征在于：所述寬禁帶半導體p型層、i型本征層、單量子點和n型層采用的半導體材料的寬帶大于4.43 eV，對應的發(fā)射波長小于280 nm。

5.根據(jù)權利要求4所述的日盲紫外單光子源，其特征在于：所述半導體材料的類型采用AlGaN、InAlN、InAlGaN、AlN、BN、Ga₂O₃、ZnMgO、MgO、ZnBeO、MgS、BeS或金剛石。

6.根據(jù)權利要求1或2所述日盲紫外單光子源，其特征在于：所述寬禁帶半導體p型層、i型本征層和n型層均采用禁帶寬度大于量子點的半導體材料，形成用以對單量子點的量子限制的類量子阱結構。

7.根據(jù)權利要求1或2所述日盲紫外單光子源，其特征在于：所述單量子點的尺寸小于或等于構成單量子點的半導體材料中的激子波爾半徑，以產生量子限制效應，形成分立能級。

8.根據(jù)權利要求1或2所述日盲紫外單光子源，其特征在于：所述量子點嵌埋pin納米線垂直豎立于襯底上，發(fā)光方向垂直于襯底的。

9.根據(jù)權利要求1或2所述日盲紫外單光子源，其特征在于：所述量子點嵌埋pin納米線是平躺位于襯底上，發(fā)光方向是平行于襯底的。

10.根據(jù)權利要求1或2所述日盲紫外單光子源，其特征在于：所述的p型電極和n型電極采用金屬、類金屬薄膜或透明導電膜，p型電極和n型電極分別與寬禁帶半導體p型層、n型層形成歐姆接觸，實現(xiàn)電注入。