[實用新型]一種鈣鈦礦光電晶體管

有效

• 申請號: 201721777177.8
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN207818623U
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 周航;許曉特;張盛東
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 北京卓嵐智財知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11624
• 代理人: 任漱晨

1.一種鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，所述鈣鈦礦光電晶體管包括，基礎襯底，位于基礎襯底上的源漏金屬電極(4)，金屬氧化物半導體薄膜(5)，所述金屬氧化物半導體薄膜(5)上覆蓋有電荷傳輸界面層(6)，所述電荷傳輸界面層(6)上方有圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層(7)，所述電荷傳輸界面層(6)至少將圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層(7)與源漏金屬電極(4)、金屬氧化物半導體薄膜(5)分隔開，所述基礎襯底的上方設有一層鈍化層(8)，所述鈍化層(8)將所述電荷傳輸界面層(6)、所述圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層(7)全部覆蓋。

2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，所述基礎襯底包括：襯底(1)，位于襯底(1)上的柵極(2)，位于柵極(2)上的柵極絕緣層(3)；所述襯底(1)為：硅襯底、玻璃襯底、石英襯底、聚酰亞胺PI襯底、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET襯底和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN襯底。

3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，所述基礎襯底為覆蓋有二氧化硅的硅襯底(9)。

4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，

所述源漏金屬電極(4)和金屬氧化物半導體薄膜(5)在同一平面上：所述基礎襯底上表面沉積有源漏金屬電極(4)，所述金屬氧化物半導體薄膜(5)覆蓋在源漏金屬電極(4)溝道處；或者所述金屬氧化物半導體薄膜(5)將源漏金屬電極(4)完全覆蓋。

5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，

所述電荷傳輸界面層(6)將所述基礎襯底、源漏金屬電極(4)和金屬氧化物半導體薄膜(5)完全覆蓋；

所述電荷傳輸界面層(6)的材料包括：富勒烯C₆₀、富勒烯衍生物PCBM、富勒烯衍生物ICBA、富勒烯及其衍生物與聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的共混體；

所述電荷傳輸界面層(6)的厚度為10nm至50nm。

6.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，所述圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層(7)位于金屬氧化物半導體薄膜(5)正上方，并且投影面積小于所述金屬氧化物半導體薄膜(5)；

所述圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層(7)的材料的化學式為ABX₃，A包括CH₃NH₃⁺、NH₂CHNH₂⁺、CS⁺、Rb⁺，B包括Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺、Sr²⁺、Cu²⁺、Bi³⁺、Sb³⁺，X包括I^-、Cl^-或Br^-；

所述圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層(7)厚度20nm至2um。

7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體薄膜(5)的材料包括：銦鎵鋅氧化物IGZO、銦鋅錫氧化物IZTO、摻鋁氧化鋅AZO、鋅錫氧化物ZTO、鎂鋅氧化物MZO；

所述金屬氧化物半導體薄膜(5)的厚度為10nm至100nm。

8.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光電晶體管，其特征在于，所述鈍化層(8)的材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、全氟樹脂CYTOP、氧化硅SiO_x、氮化硅SiN_x和氧化鋁Al₂O₃；

所述鈍化層的厚度20nm至900nm。