[實用新型]一種真空吸盤有效
| 申請號： | 201721776715.1 | 申請日： | 2017-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN207651467U | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 黃雷 | 申請（專利權）人： | 昆山成功環保科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人： | 黃珩 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空吸槽 真空吸盤 負壓 通氣孔 吸附 真空發生器 吸盤本體 起始端 晶圓 吸盤 本實用新型 凸凹不平 吸附區域 渦狀線 形變 重合 加長 形心 路程 | ||
1.一種真空吸盤，其特征在于，其包括：
吸盤本體；
在所述吸盤本體的吸附面上設置有渦狀線狀真空吸槽，所述真空吸槽起始端與所述吸盤本體形心相重合；
在真空吸槽的起始端設置有與真空發生器相連通的通氣孔。
2.根據權利要求1所述的真空吸盤，其特征在于，在所述吸附面上設置有至少兩個定位凸起，為了保證所述吸盤本體形心與晶圓形心相重合，所述定位凸起沿晶圓邊緣進行分布，通過所述定位凸起與晶圓邊緣相互貼合來實現對所述晶圓位置的確定。
3.根據權利要求1所述的真空吸盤，其特征在于，所述渦狀線螺距從起始端向外緣逐漸減小。
4.根據權利要求3所述的真空吸盤，其特征在于，所述渦狀線為費馬螺線。
5.根據權利要求1所述的真空吸盤，其特征在于，所述真空吸槽深度從渦狀線起始端向外緣逐漸減小。
6.根據權利要求1所述的真空吸盤，其特征在于，在所述真空吸槽上設置有倒角或倒圓。
7.根據權利要求6所述的真空吸盤，其特征在于，所述倒角或倒圓尺寸不小于0.5mm。
8.根據權利要求1所述的真空吸盤，其特征在于，在所述真空吸槽之間的吸附面上布置有氣密性靜電阻隔材料。
9.根據權利要求8所述的真空吸盤，其特征在于，所述氣密性靜電阻隔材料為防靜電橡膠。
10.根據權利要求1-9中任一項所述的真空吸盤，其特征在于，所述真空吸槽深度不大于4mm，寬度不大于5mm，相鄰真空吸槽中心間距不大于8mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山成功環?？萍加邢薰荆唇浝ド匠晒Νh保科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721776715.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種光伏硅片快速移動定位的組合機構
- 下一篇：一種新型行車結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
