[實(shí)用新型]超薄撓性覆銅板及撓性線路板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721762508.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207897218U | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 由龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳科諾橋科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K1/03 | 分類號(hào): | H05K1/03;H05K1/05;H05K3/16 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基材膜層 濺射層 撓性覆銅板 電暈層 銅箔層 結(jié)合力 附著力 剝離 撓性線路板 線路板 表面設(shè)置 厚度設(shè)計(jì) 導(dǎo)電 撓性 制作 保證 | ||
本實(shí)用新型屬于線路板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種超薄撓性覆銅板及撓性線路板。該超薄撓性覆銅板包括基材膜層和設(shè)置于基材膜層上用于導(dǎo)電的銅箔層,且基材膜層與銅箔層之間還設(shè)置有濺射層,基材膜層與濺射層相接觸的表面還設(shè)有電暈層。在基材膜層與濺射層相接觸的表面設(shè)有電暈層,該電暈層能夠增加基材膜層的表面的附著力,以增強(qiáng)濺射層與基材膜層之間結(jié)合力;同時(shí),在電暈層的表面設(shè)置的濺射層也可進(jìn)一步的增加銅箔層和基材膜層之間的結(jié)合力,如此可以提高整個(gè)撓性覆銅板的剝離強(qiáng)度。因此,通過設(shè)置電暈層和濺射層,有效保證了撓性覆銅板的剝離強(qiáng)度,從而可以將銅箔層的厚度設(shè)計(jì)的更薄,使得銅箔層的厚度可以制作成小于3μm。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于線路板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種超薄撓性覆銅板及撓性線路板。
背景技術(shù)
撓性印刷電路板作為應(yīng)用于電子互連的特殊功能單元,因其輕質(zhì)、超薄、體積小、柔韌好,尤其是可彎曲、卷曲以及可折疊的突出優(yōu)點(diǎn),在現(xiàn)代電子工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。特別是近年來,隨著人們對(duì)電子電器微型化、輕量化和集成化要求的不斷提高,撓性電路板已經(jīng)成為各類高科技電子產(chǎn)品制造中必不可少的組件之一,大量應(yīng)用于筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、可折疊手機(jī)、液晶電視和衛(wèi)星定位終端等。在此背景下,作為生產(chǎn)加工撓性印刷電路板的基礎(chǔ)材料,撓性覆銅板的制造和應(yīng)用也同樣得到了飛速的發(fā)展。
眾所周知,根據(jù)有無膠粘劑的存在,撓性覆銅板可主要分為三層結(jié)構(gòu)的帶膠覆銅板和兩層結(jié)構(gòu)的無膠覆銅板。其中帶膠覆銅板是最早開發(fā)的技術(shù),它是通過在聚酰亞胺薄膜上涂膠,然后熱層,從而將銅箔和聚酰亞胺膜粘接起來得到撓性覆銅板。但是由于有機(jī)膠粘劑層的存在,導(dǎo)致帶膠覆銅板的產(chǎn)品厚度較大,限制了其在高密度高精度撓性線路制備中的應(yīng)用。無膠覆銅板則是由聚酰亞胺和銅箔直接復(fù)合而成,為了直接實(shí)現(xiàn)高界面粘結(jié),無膠覆銅板通常采用特殊結(jié)構(gòu)的聚酰亞胺樹脂作為基材,由于去掉了有機(jī)膠粘劑層,無膠覆銅板厚度可以更薄。但是,隨著當(dāng)前線路板的高度集成化和超薄微型化,超高密度布線和超細(xì)導(dǎo)電已經(jīng)成為發(fā)展趨勢(shì),這類線路板對(duì)撓性覆銅板的厚度要求越來越高,即使是厚度較薄的無膠覆銅板,其最薄的銅箔層厚度也只能達(dá)到6μm左右,而無法實(shí)現(xiàn)厚度小于3μm,因而也不能滿足高度集成化和超薄微型化的線路板產(chǎn)品對(duì)撓性覆銅板厚度的要求,而當(dāng)產(chǎn)品要求撓性覆銅板的厚度小于3μm時(shí),往往需要對(duì)銅箔表面進(jìn)行蝕刻以使其適應(yīng)產(chǎn)品的厚度需求,而這樣就大大的浪費(fèi)了銅箔材料、增加了生產(chǎn)制作成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種超薄撓性覆銅板及撓性電路板,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的撓性覆銅板的表面銅箔層厚度無法小于3μm的技術(shù)問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:提供一種超薄撓性覆銅板,該超薄撓性覆銅板包括基材膜層和設(shè)置于基材膜層上用于導(dǎo)電的銅箔層,基材膜層與銅箔層之間設(shè)置有濺射層,且基材膜層與濺射層相接觸的表面還設(shè)有電暈層。
進(jìn)一步地,上述基材膜層為聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜或聚酰亞胺薄膜。
進(jìn)一步地,上述電暈層是基材膜層的表面經(jīng)電暈處理而形成的。
進(jìn)一步地,上述濺射層是通過真空濺射法對(duì)電暈層進(jìn)行表面銅離子沉淀而形成的。
進(jìn)一步地,上述銅箔層是通過電鍍沉銅法在濺射層上形成的電鍍銅箔層。
進(jìn)一步地,上述銅箔層的厚度為1μm~3μm。
優(yōu)選地,上述濺射層的厚度為20nm~300nm。
優(yōu)選地,上述基材膜層的厚度為40μm~60μm。
進(jìn)一步地,上述電鍍沉銅法為酸銅沉淀法、堿銅沉淀法、酸加酸銅沉淀法、酸加堿銅沉淀法、酸加堿加酸銅沉淀法或堿加酸加堿銅沉淀法中的任一種。
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