[實用新型]基于BJT的集成電路抗靜電轉接板有效
| 申請號： | 201721762418.1 | 申請日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN208315547U | 公開（公告）日： | 2019-01-01 |
| 發明（設計）人： | 楊亞敏;趙衛國 | 申請（專利權）人： | 天水電子電器檢測試驗中心 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L23/538 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 741000 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 插塞 隔離槽 硅基襯 抗靜電 轉接板 集成電路 金屬互連線 上下表面 鈍化層 凸點 填充 二氧化硅材料 本實用新型 多晶硅材料 抗靜電能力 層疊封裝 轉接 上表面 下表面 芯片 加工 | ||
1.一種基于BJT的集成電路抗靜電轉接板(10)，其特征在于，包括：硅基襯底(11)、TSV孔(12)、隔離槽(13)、BJT(14)、插塞(15)、金屬互連線(16)、凸點(17)及鈍化層(18)；
所述TSV孔(12)、隔離槽(13)及所述BJT(14)沿橫向依次間隔地設置于所述硅基襯底(11)中；其中，所述TSV孔(12)中填充多晶硅材料；所述隔離槽(13)中填充二氧化硅材料；
所述BJT(14)包括基區(2041)、基區接觸區(2042)、發射區(2043)和集電區(2044)，其中，所述基區接觸區(2042)和所述發射區(2043)設置在所述基區(2041)區域內，所述集電區(2044)設置在所述基區(2041)下方；
所述插塞(15)設置于所述TSV孔(12)與所述BJT(14)上下表面；
所述金屬互連線(16)設置于所述TSV孔(12)與所述BJT(14)上表面的所述插塞(15)上；
所述凸點(17)設置于所述TSV孔(12)與所述BJT(14)下表面的所述插塞(15)上；
所述鈍化層(18)設置于所述硅基襯底(11)上下表面。
2.根據權利要求1所述的轉接板(10)，其特征在于，所述金屬互連線(16)與所述凸點(17)為銅材料。
3.根據權利要求1所述的轉接板(10)，其特征在于，所述鈍化層(18)為二氧化硅材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
