[實用新型]一種太陽能電池生產工藝用硅片快速減薄裝置有效
| 申請號: | 201721761109.2 | 申請日: | 2017-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN207624669U | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 關松生 | 申請(專利權)人: | 江西瑞宇新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
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| 地址: | 330052 江西省南昌*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 砂盤 上砂 硅片 太陽能電池生產 本實用新型 廢渣收集箱 電機 減薄裝置 液壓裝置 頂蓋 固定架 連接板 轉動軸 打磨 頂部安裝 固定座 底座 機箱 正對 軸孔 轉動 | ||
本實用新型公開了一種太陽能電池生產工藝用硅片快速減薄裝置,包括廢渣收集箱,所述廢渣收集箱的底部安裝有底座,所述固定座的頂部安裝有下砂盤,所述下砂盤的下方安裝有第二電機,所述機箱的背側安裝有固定架,所述固定架的一側安裝有液壓裝置,所述液壓裝置的底部安裝有連接板,所述連接板的下方安裝有第一電機,所述第一電機的下方安裝有轉動軸,所述轉動軸的下方安裝有頂蓋,所述頂蓋的底部安裝有上砂盤,所述上砂盤的中間位置處設置有軸孔。本實用新型的安裝有正對安裝的上砂盤和下砂盤,且硅片安裝在上砂盤和下砂盤之間,通過上砂盤和下砂盤的轉動對硅片的雙面進行同時打磨,有效提高了打磨效率。
技術領域
本實用新型涉及硅片減薄技術領域,具體是一種太陽能電池生產工藝用硅片快速減薄裝置。
背景技術
太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置。只要被光照到,瞬間就可輸出電壓及電流。在物理學上稱為太陽能光伏,簡稱光伏。以光電效應工作的薄膜式太陽能電池為主流,而以光化學效應工作的濕式太陽能電池則還處于萌芽階段,砂輪,用磨料和結合劑等制成的中央有通孔的圓形固結磨具。砂輪是磨具中用量最大、使用面最廣的一種,使用時高速旋轉,適于加工各種金屬和非金屬材料。
一種太陽能電池生產工藝用硅片快速減薄裝置的出現大大方便了硅片快速減薄,但是目前階段的一種太陽能電池生產工藝用硅片快速減薄裝置存在諸多的不足之處,例如,減薄效率低,容易產生污染,無法對廢渣進行回收。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種太陽能電池生產工藝用硅片快速減薄裝置,以解決現有技術中的減薄效率低,容易產生污染,無法對廢渣進行回收的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種太陽能電池生產工藝用硅片快速減薄裝置,包括廢渣收集箱,所述廢渣收集箱的底部安裝有底座,所述廢渣收集箱的正面安裝有密封門,所述廢渣收集箱的上方安裝有機箱,所述機箱上安裝有控制面板,所述機箱的一側安裝有連接口,所述連接口上安裝有輸送管,所述輸送管的一端安裝有吸塵器,所述機箱的頂部安裝有固定座,所述固定座的頂部安裝有下砂盤,所述下砂盤的上方的中間位置處安裝有固定桿,所述下砂盤的下方安裝有第二電機,所述機箱的背側安裝有固定架,所述固定架的一側安裝有液壓裝置,所述液壓裝置的底部安裝有連接板,所述連接板的下方安裝有第一電機,所述第一電機的下方安裝有轉動軸,所述轉動軸的下方安裝有頂蓋,所述頂蓋的底部安裝有上砂盤,所述上砂盤的中間位置處設置有軸孔。
優選的,所述上砂盤與下砂盤正對安裝。
優選的,所述固定桿與軸孔鑲嵌連接。
優選的,所述第一電機與上砂盤轉動連接,且第二電機與下砂盤轉動連接。
優選的,所述頂蓋的邊側與固定座的邊側緊密貼合。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:本實用新型的安裝有正對安裝的上砂盤和下砂盤,且硅片安裝在上砂盤和下砂盤之間,通過上砂盤和下砂盤的轉動對硅片的雙面進行同時打磨,有效提高了打磨效率,且在機箱的一側安裝有吸塵器,通過吸塵器可以將打磨過程的硅片廢渣進行回收至廢渣收集箱內儲存,不但可以避免環境污染,且可以對資源進行回收利用。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
圖2為本實用新型的固定座的主視圖。
圖3為本實用新型的上砂盤的仰視圖。
圖中:1-上砂盤、2-固定桿、3-固定座、4-控制面板、5-廢渣收集箱、6-密封門、7-底座、8-固定架、9-液壓裝置、10-連接板、11-第一電機、12-轉動軸、13-頂蓋、14-吸塵器、15-輸送管、16-連接口、17-機箱、18-下砂盤、19-第二電機、20-軸孔。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





