[實(shí)用新型]一種降低黑硅花籃印比例的花籃有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721755002.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207868177U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳園;張明明;付少劍;肖文明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/673 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌恒橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 36125 | 代理人： | 楊志宇 |
| 地址： | 334000 江西省*** | 國(guó)省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 花籃 卡齒 壓桿 粗糙表面 支撐板 側(cè)桿 黑硅 本實(shí)用新型 納米級(jí)孔洞 電暈處理 固定壓桿 化學(xué)藥液 等離子 花籃桿 納米級(jí) 低桿 底桿 根側(cè) 減小 絨面 吸附 開(kāi)口 概率 | ||
1.一種降低黑硅花籃印比例的花籃，包括四根對(duì)稱設(shè)置的側(cè)桿（1），其特征在于，四根所述側(cè)桿（1）的兩端共同對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)支撐板（4），兩個(gè)所述支撐板（4）上共同設(shè)有壓桿（3），兩個(gè)所述支撐板（4）上共同對(duì)稱設(shè)置有兩根底桿（2），每個(gè)所述側(cè)桿（1）、底桿（2）和壓桿（3）均采用等離子電暈處理，形成多個(gè)納米孔洞（5）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低黑硅花籃印比例的花籃，其特征在于，每個(gè)所述側(cè)桿（1）上均設(shè)有第一卡齒（11）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低黑硅花籃印比例的花籃，其特征在于，所述壓桿（3）上設(shè)有第二卡齒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低黑硅花籃印比例的花籃，其特征在于，每個(gè)所述支撐板（4）上均開(kāi)設(shè)有卡槽（41），且壓桿（3）卡設(shè)在卡槽（41）上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低黑硅花籃印比例的花籃，其特征在于，所述側(cè)桿（1）、底桿（2）、壓桿（3）和支撐板（4）均采用聚四氟乙烯制成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
