[實用新型]多腔室晶圓處理設備有效
| 申請號: | 201721754788.0 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN207503937U | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 張大龍;欒劍鋒;闞保國;劉家樺 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;董琳 |
| 地址: | 223300 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣動門 支氣路 主氣路 氣路 晶圓處理設備 處理腔室 一端連接 多腔室 閥門 晶圓 氣缸 本實用新型 均勻穩定性 氣缸驅動 輸入壓縮 內壓力 氣體源 主氣 | ||
本實用新型涉及一種多腔室晶圓處理設備,包括:多個晶圓處理腔室,每個晶圓處理腔室包括氣動門,所述氣動門由氣缸驅動;氣路,包括主氣路和與所述主氣路一端連接的多個支氣路,所述多個支氣路分別連接至各個氣缸;氣體源,與所述氣路另一端連接,用于通過所述氣路向各個氣缸輸入壓縮氣體;第一閥門,設置于所述主氣路上,用于控制所述主氣路內的氣流;多個第二閥門,分別設置于位于各個支氣路上,用于分別控制各個支氣路內的氣流。提高氣路內壓力的均勻穩定性,使得氣動門開關順利。
技術領域
本實用新型涉及半導體技術領域,尤其涉及一種多腔室晶圓處理設備。
背景技術
晶圓處理工藝是在一個多腔室的工藝系統內進行的,例如一個具有多個處理腔室的晶圓處理設備。
多腔室具有多腔室的晶圓處理設備包括多個處理腔室,例如沉積腔室、刻蝕腔室、退火腔室等。各個處理腔室之間構成一傳送腔,所述傳送腔內設置機械臂,用于在各個腔室以及負載鎖定室之間傳送晶圓。
各個處理腔室靠近傳送區域的一端設置有氣動真空閥門,作為負載鎖定室與傳送區域之間的隔離閥門。所述氣動真空閥門由氣缸驅動。機臺統一調整氣體壓力后分別供給各個腔體的氣缸,用于控制真空門的開啟或關閉。但氣缸個體差異造成流進各氣缸的氣體壓力大小不均,會偶爾發生氣動門開關不順暢,導致部分主腔體氣動門開啟失敗,使得機械臂不能正常傳片工作,引起設備故障。
因此,需要一種新的氣體輸送管路,使得到達各個氣缸的氣體壓力均能滿足要求,使得氣缸運動平順。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是,提供一種多腔室晶圓處理設備,使得所述多腔室晶圓處理設備的氣動門開關順暢,避免設備故障。
為了解決上述問題,本實用新型提供了一種多腔室晶圓處理設備,包括:多個晶圓處理腔室,每個晶圓處理腔室包括氣動門,所述氣動門由氣缸驅動;氣路,包括主氣路和與所述主氣路一端連接的多個支氣路,所述多個支氣路分別連接至各個氣缸;氣體源,與所述氣路另一端連接,用于通過所述氣路向各個氣缸輸入壓縮氣體;第一閥門,設置于所述主氣路上,用于控制所述主氣路內的氣流;多個第二閥門,分別設置于位于各個支氣路上,用于分別控制各個支氣路內的氣流。
可選的,所述第二閥門為針型閥門。
可選的,所述第一閥門與第二閥門采用相同類型的閥門。
可選的,所述氣體源用于輸出壓強為85Psi~95Psi的壓縮氣體。
可選的,所述第二閥門上設置有壓力傳感器,用于檢測所述支氣路內的氣體壓強。
可選的,所述第二閥門與氣缸之間的氣路距離小于第二閥門與主氣路之間的氣路距離。
可選的,所述第二閥門用于控制對應的氣動門的開關時間為4s~6s。
本實用新型的多腔室晶圓處理設備的氣體源通過一主氣路以及多個支氣路連接至多個氣缸,支氣路上分別設置有第二閥門,用于單獨控制各個支氣路內的氣流,使得氣路內的壓力均勻穩定,使得各個氣缸運動平順以驅動氣動門順利開關。
附圖說明
圖1為本實用新型一具體實施方式的多腔室晶圓處理設備的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型提供多腔室晶圓處理設備的具體實施方式做詳細說明。
請參考圖1,為本實用新型一具體實施方式的多腔室晶圓處理設備的局部結構示意圖。
所述多腔室晶圓處理設備包括多個晶圓處理腔室(圖中未示出),每個晶圓處理腔室包括氣動門,所述氣動門由氣缸驅動,控制氣動門的開啟和關閉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





