[實(shí)用新型]一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721748411.4
• 申請(qǐng)日: 2017-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207671694U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮謹(jǐn);孟昱良;姚亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北東明中硅科技有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/035
• 分類號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467
• 代理人: 賈凱

1.一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐，其特征在于：包括底座(1)，貫穿設(shè)置于所述底座(1)上的電極(3)，設(shè)置于所述電極(3)上的硅芯(24)，設(shè)置于所述底座(1)上的雙層爐體(2)和設(shè)置于所述爐體(2)內(nèi)的氣體循環(huán)裝置(4)；

所述底座(1)內(nèi)部開(kāi)設(shè)有導(dǎo)流腔(5)，所述導(dǎo)流腔(5)的頂壁上開(kāi)設(shè)有若干與所述爐體(2)相連通的爐體出氣孔(6)；

所述爐體(2)包括外爐體(2-1)，內(nèi)爐體(2-2)和設(shè)置于所述外爐體(2-1)與內(nèi)爐體(2-2)之間的夾套層(2-3)，爐體出氣孔(6)與所述內(nèi)爐體(2-2)相連通，所述外爐體(2-1)底部設(shè)有與所述夾套層(2-3)相連通的冷媒進(jìn)管(7)，所述外爐體(2-1)頂部設(shè)有與所述夾套層(2-3)相連通的冷媒出管(8)；

所述氣體循環(huán)裝置(4)包括貫穿設(shè)置于所述底座(1)中心處的出氣管(9)，套設(shè)于所述出氣管(9)外的罩體(10)和設(shè)置于所述出氣管(9)內(nèi)的進(jìn)氣管(11)；所述出氣管(9)延伸至所述內(nèi)爐體(2-2)上部，所述出氣管(9)與所述罩體(10)之間形成出氣風(fēng)道(12)，所述導(dǎo)流腔(5)的頂壁上開(kāi)設(shè)有與出氣風(fēng)道(12)相連通的導(dǎo)流腔出氣孔(13)，所述進(jìn)氣管(11)的上端穿過(guò)所述罩體(10)后設(shè)有球形儲(chǔ)氣腔(14)，所述儲(chǔ)氣腔(14)的側(cè)壁上均勻設(shè)有若干進(jìn)氣孔(15)，所述進(jìn)氣管(11)的下端伸出所述底座(1)后貫穿所述出氣管(9)的側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐，其特征在于：所述底座(1)的底部設(shè)有若干支腳(16)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐，其特征在于：所述爐體(2)的底部外緣向下延伸形成插環(huán)(17)，所述底座(1)頂部開(kāi)設(shè)有與所述插環(huán)(17)相匹配的插槽(18)，所述插環(huán)(17)與所述插槽(18)插接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐，其特征在于：所述插環(huán)(17)上開(kāi)設(shè)有第一插孔(19)，所述插槽(18)的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有與所述第一插孔(19)相配合的第二插孔(20)，所述第一插孔(19)及第二插孔(20)內(nèi)插設(shè)有插栓(21)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐，其特征在于：所述插槽(18)的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有滑槽(22)，所述插環(huán)(17)上設(shè)有與所述滑槽(22)相匹配的滑塊(23)，所述滑塊(23)滑動(dòng)設(shè)置于所述滑槽(22)內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐，其特征在于：所述進(jìn)氣管(11)為螺旋形。