[實用新型]一種功率半導體封裝用基板及半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201721738691.0
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN207719180U
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 江一漢
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型公開一種功率半導體封裝用基板及半導體封裝結構，其中，功率半導體封裝用基板包括散熱層和一體式引線框架，一體式引線框架通過絕緣粘接劑粘接在散熱層的一側面，一體式引線框架包括用于安裝芯片的框架本體和與框架本體的外周連接的引線端子，引線端子部分延伸至凸出于散熱層的邊緣。本實用新型采用絕緣粘結劑將散熱層粘接固定在一體式引線框架的下方，可以使散熱層與一體式引線框架之間電絕緣并穩定連接，利用散熱層將設置在一體式引線框架上的芯片產生的熱量擴散出去，避免半導體封裝結構內的熱流密度過高而導致采用該半導體封裝結構的設備發生故障。本實用新型的功率半導體封裝用基板的生產成本低，可取代市面上價格昂貴的陶瓷基板。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術，具體涉及一種功率半導體封裝用基板及包含該功率半導體封裝用基板的半導體封裝結構。

背景技術

隨著集成電路特別是超大規模集成電路的迅速發展，高功率半導體封裝結構的體積越來越小，與此同時，高功率半導體封裝結構內的芯片的功率卻越來越大，從而導致高功率半導體封裝結構內的熱流密度(即單位面積的截面內單位時間通過的熱量)日益提高。隨著熱流密度的不斷提高，如果不能進行有效地熱設計與熱管理就很容易導致芯片或系統由于溫度過高而不能正常使用。發熱問題已被確認為高功率半導體結構設計所面臨的三大問題之一。與此同時，芯片的散熱顯得尤為重要。而基板作為芯片的承載體，需要把芯片因承受大電流而產生的熱量吸收并散發出去。因此，基板的熱傳導能力顯得尤為重要。

為解決大功率芯片的散熱問題，目前市面上出現一種陶瓷基板，然而該基板的成本高。因此，亟需設計一種散熱效果好且成本低的基板。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種散熱性能良好且成本低的功率半導體封裝用基板及半導體封裝結構。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一方面，提供一種功率半導體封裝用基板，包括散熱層和一體式引線框架，所述一體式引線框架通過絕緣粘接劑粘接在所述散熱層的一側面，所述一體式引線框架包括用于安裝芯片的框架本體和與所述框架本體的外周連接的引線端子，所述引線端子部分延伸至凸出于所述散熱層的邊緣。

作為功率半導體封裝用基板的一種優選方案，所述散熱層為石墨材料。

作為功率半導體封裝用基板的一種優選方案，所述散熱層為金屬材料。

作為功率半導體封裝用基板的一種優選方案，所述絕緣粘接劑為具有導熱性的環氧樹脂材料。

作為功率半導體封裝用基板的一種優選方案，所述散熱層由若干貼附在所述框架本體上的散熱塊組成，所述散熱塊與所述框架本體上用于安裝所述芯片的位置相對應。

作為功率半導體封裝用基板的一種優選方案，所述散熱塊在所述框架本體上的覆蓋面積等于相應的所述芯片在所述框架本體上的覆蓋面積。

作為功率半導體封裝用基板的一種優選方案，所述散熱層與所述框架本體上用于安裝功率相對較大的所述芯片的位置相對應。

作為功率半導體封裝用基板的一種優選方案，所述散熱層在所述框架本體上的覆蓋面積等于相應的所述芯片在所述框架本體上的覆蓋面積。

另一方面，提供一種半導體封裝結構，包括基板和設置在所述基板的所述框架本體上的芯片，所述芯片通過金屬導線與所述基板的所述引線端子連接，所述基板為所述的功率半導體封裝用基板。

作為半導體封裝結構的一種優選方案，所述芯片通過導電粘合材料粘接在所述框架本體上。