[實用新型]一種半導體晶片拋光裝置用真空吸附模板及拋光裝置

有效

• 申請號: 201721735138.1
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN207593516U
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 王陽;孫聶楓;孫同年
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B41/06
• 代理公司: 石家莊眾志華清知識產權事務所(特殊普通合伙) 13123
• 代理人: 王苑祥;郝曉紅

1.一種半導體晶片拋光裝置用真空吸附模板，包括定位在拋光頭（4）上的陶瓷盤（1），其特征在于，所述陶瓷盤（1）盤面上開設有凹槽，凹槽內定位有真空吸盤（2）, 所述真空吸盤（2）周向邊沿向下延伸形成帽檐（2-1）結構，真空吸盤（2）內表面設有溝道（2-2）并借助貫穿陶瓷盤（1）的真空孔（1-1）與真空發生結構連接形成對晶片（3）真空吸附定位。

2.根據權利要求1所述的真空吸附模板，其特征在于，所述真空吸盤（2）的剖面為“ㄇ”形。

3.根據權利要求1所述的真空吸附模板，其特征在于，所述真空吸盤（2）為聚四氟乙烯材質。

4.根據權利要求1所述的真空吸附模板，其特征在于，所述真空吸盤（2）外輪廓厚度與陶瓷盤（1）上凹槽的深度一致；內輪廓厚度與晶片（3）單面拋光后要求達到的厚度一致。

5.根據權利要求1所述的真空吸附模板，其特征在于，所述溝道（2-2）均布在真空吸盤（2）內表面。

6.根據權利要求1或5所述的真空吸附模板，其特征在于，所述溝道（2-2）對稱設置形成扇形。

7.根據權利要求1所述的真空吸附模板，其特征在于，所述陶瓷盤（1）盤面上開的凹槽為圓柱形。

8.根據權利要求1所述的真空吸附模板，其特征在于，所述陶瓷盤（1）真空吸附在拋光頭上。

9.根據權利要求1所述的真空吸附模板，其特征在于，所述真空吸盤（2）借助孔道真空吸附定位在凹槽內或粘結、或鑲嵌入凹槽內。

10.一種半導體晶片單面拋光裝置，其特征在于，所述拋光裝置包含權利要求1-5任一所述的真空吸附模板。