[實用新型]一種芯片I/O接口的保護裝置

有效

• 申請號: 201721722500.1
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN207732419U
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 楊靖;梅當民;陳曉龍
• 申請（專利權）人: 英特格靈芯片（天津）有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02H3/20
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所 11309
• 代理人: 陳霽

本實用新型實施例提供了一種芯片I/O接口的保護裝置，該保護裝置包括：一個第一保護單元和至少一個第二保護單元；其中，第一保護單元為瞬態高壓保護單元，第二保護單元為直流高壓保護單元。瞬態高壓保護單元設置有第一觸發閾值，當芯片端口輸入電壓高于瞬態高壓保護單元的第一觸發閾值時，瞬態高壓保護單元形成對地放電電路，對芯片內部模塊進行保護。直流高壓保護單元設置有第二觸發閾值，直流高壓保護單元中的高壓檢測單元對芯片端口輸入電壓進行檢測，通過開關控制輸入電路的開合，對芯片內部模塊進行保護。

技術領域

本實用新型涉及電子芯片領域，尤其涉及一種芯片I/O接口的保護裝置。

背景技術

新一代Type-C接口日益普及，Type-C接口中的CC接口緊鄰可以傳輸高壓的總線供電(Voltage Bus，VBUS)接口，結合接口自身的機械結構特點，致使在使用過程中存在一定的幾率出現CC接口與VBUS接口短路的風險，若短路的同時VBUS供電為標準電壓，該短路僅僅會導致連接檢測出現問題；倘若短路的同時VBUS接口處于高電壓狀態，則可能出現由于CC接口所接芯片不耐高電壓而燒毀的后果。

實用新型內容

為了解決VBUS接口處于高電壓狀態時，如果短路，造成CC接口所接芯片不耐高電壓而燒毀的問題。

本實用新型實施例提供了一種芯片I/O接口的保護裝置，該保護裝置包括：：一個第一保護單元和至少一個第二保護單元；其中，第一保護單元為瞬態高壓保護單元，第二保護單元為直流高壓保護單元。

瞬態高壓保護單元設置有第一觸發閾值，當芯片端口輸入電壓高于瞬態高壓保護單元的第一觸發閾值時，瞬態高壓保護單元形成對地放電電路，對芯片內部模塊進行保護。

直流高壓保護單元設置有第二觸發閾值，直流高壓保護單元中的高壓檢測單元對芯片端口輸入電壓進行檢測，通過開關控制輸入電路的開合，對芯片內部模塊進行保護。

瞬態高壓保護單元與直流高壓保護單元單獨對芯片內部模塊進行保護。

瞬態高壓保護單元與直流高壓保護單元配合對芯片內部模塊進行保護。

瞬態高壓保護單元的第一觸發閾值高于直流高壓保護單元的第二觸發閾值。

瞬態高壓保護單元對高壓過沖震蕩波形進行處理。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種芯片I/O接口保護裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的一種芯片I/O接口保護裝置的結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的瞬態高壓保護單元電路結構示意圖；

圖4為本實用新型實施例提供的直流高壓保護單元電路結構示意圖；

圖5為本實用新型實施例提供的I/O接口高壓過壓原始輸入波形示意圖；

圖6為本實用新型實施例提供的I/O接口經過保護裝置后輸出波形示意圖。

具體實施方式

下面通過附圖，對本實用新型實施例提供的技術方案做進一步的詳細描述。

圖1為本實用新型實施例提供的一種芯片I/O接口保護裝置的結構示意圖。如圖1所示，芯片I/O接口到芯片內部受保護模塊通路中設置有多重保護單元，依次為第一保護單元、第二保護單元至第N保護保護單元，共N個保護單元，N≥2。其中，第一保護單元為瞬態高壓保護單元，第二保護單元至第N保護單元為直流高壓保護單元，直流高壓保護單元的數量根據芯片和具體電路中的電壓情況進行設置。

瞬態高壓保護單元可以設置有第一觸發閾值，當芯片端口輸入電壓高于瞬態高壓保護單元的第一觸發閾值時，瞬態高壓保護單元形成對地放電電路，對芯片內部模塊進行保護。