[實(shí)用新型]等離子化學(xué)氣相沉積裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721720901.3 | 申請日: | 2017-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN207727148U | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志強(qiáng);彭帆;楊平 | 申請(專利權(quán))人: | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/513 | 分類號: | C23C16/513;C23C16/52 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 侯莉 |
| 地址: | 200241 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子化學(xué)氣相沉積 陽極 本實(shí)用新型 基底 電路 陰極 化學(xué)氣相沉積 離子轟擊能量 表面結(jié)合力 產(chǎn)品性能 基底表面 射頻電源 等離子 阻抗 轟擊 | ||
1.一種等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,包括陽極、陰極及至少一個(gè)調(diào)節(jié)電路;所述陽極上連接有基底;
通過調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)電路的阻抗,能夠調(diào)節(jié)所述陽極的電壓,以控制等離子對所述基底的轟擊能量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述調(diào)節(jié)電路包括一電感及一電容;所述電容的一端連接所述陽極,另一端通過所述電感接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述陰極通過一匹配電路連接至射頻電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述調(diào)節(jié)電路有兩個(gè),所述陰極及所述陽極分別通過一個(gè)所述調(diào)節(jié)電路接地;
所述調(diào)節(jié)電路包括一電容及所述電容串聯(lián)的電感。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述裝置還包括射頻電源、匹配電路及變壓器;
所述射頻電源通過所述匹配電路連接至所述變壓器的輸入端,所述變壓器的輸出端分別與所述陰極及陽極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,|ZL1|>|ZC|且|ZL1|>|ZC1|,其中,ZL1為所述調(diào)節(jié)電路中的電感的阻抗,Zc1為所述調(diào)節(jié)電路中的與電感串聯(lián)的電容的阻抗,ZC為所述陰極與所述陽極之間的耦合電容的阻抗。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,通過調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)電路中的電容的阻抗,來調(diào)節(jié)所述陽極的電壓,以控制等離子對所述基底的轟擊能量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述基底通過機(jī)械卡盤或者靜電卡盤固定于所述陽極上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





