[實用新型]一種耐壓半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721710114.0
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN207719195U
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅艷
• 申請（專利權(quán)）人: 四川九鼎智遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)運營有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/522
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 詹永斌

1.一種耐壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

P型襯底；

隔離層，所述隔離層位于所述P型襯底上；

N型硅層，所述N型硅層位于所述隔離層上；

P型阱，所述P型阱位于所述N型硅層一側(cè)的所述隔離層上；

N型阱，所述N型阱位于所述N型硅層另一側(cè)的所述隔離層上；

源極，所述源極位于所述P型阱上；

漏極，所述漏極位于所述N型阱上；

氧化層，所述氧化層位于所述N型硅層上；

第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述源極和漏極之間的所述氧化層、P型阱和N型阱；

第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述源極和漏極之間的所述第一介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層上設(shè)有凹槽，所述凹槽內(nèi)形成有柵極；

金屬場板，所述金屬場板跨設(shè)在所述柵極上，所述金屬場板的截面形狀為中間高兩邊低的階梯形；

第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層位于所述柵極和金屬場板之間，且所述金屬場板的一端與源極連接，另一端搭接在所述第三介質(zhì)層上；

其中，所述第一介質(zhì)層內(nèi)具有位于下層的多個半絕緣電阻極板和位于上層的多個導(dǎo)體場板，所述多個半絕緣電阻極板和所述多個導(dǎo)體場板均橫向間隔排列，且任意一個所述半絕緣電阻極板與上層相鄰的一個導(dǎo)體場板垂直連接，與上層相鄰的另一個導(dǎo)體場板構(gòu)成電容器，位于左右最外側(cè)的兩個導(dǎo)體場板分別與所述P型阱和N型阱垂直連接；所述第三介質(zhì)層的介電常數(shù)大于4。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個半絕緣電阻極板設(shè)于所述氧化層上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耐壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，相鄰兩個半絕緣電阻極板的間距為2微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極的截面形狀為T形。