[實用新型]一種帶有除雜設備的萃取裝置有效
| 申請號: | 201721708725.1 | 申請日: | 2017-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN207769283U | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 廖龍江;陳勇春;葉軍 | 申請(專利權)人: | 龍南縣堉然科技有限公司 |
| 主分類號: | B01D11/04 | 分類號: | B01D11/04 |
| 代理公司: | 南昌贛專知識產權代理有限公司 36129 | 代理人: | 劉錦霞;張文宣 |
| 地址: | 341700 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 萃取裝置 溢流堰 澄清室 混合室 本實用新型 除雜設備 第一級 攪拌電機 依次設置 萃取效率 半透膜 第三級 輸出槽 除雜 自動化 室內 | ||
本實用新型涉及萃取裝置技術領域,尤其是一種帶有除雜設備的萃取裝置,包括第一潛室、第二潛室;所述的萃取裝置包括第一至第四級萃取裝置;所述的第一至第四級萃取裝置均包含一個混合室和一個澄清室;所述的混合室和澄清室連接處設有混合溢流堰,所述的澄清室均設有一個重相溢流堰和輕相溢流堰;所述的第一級萃取裝置澄清室的輕相溢流堰連接至第二級萃取裝置的混合室,第一級萃取裝置澄清室的重相溢流堰連接至重相輸出槽;所述的第二級萃取裝置、第三級萃取裝置和第四級萃取裝置依次設置;所述的混合室內均設有攪拌電機;所述的輕相溢流堰設有一層半透膜。本實用新型結構簡單、除雜效果好、萃取效率和自動化程度高,具有廣泛的實際實用價值。
技術領域
本實用新型涉及萃取裝置技術領域,具體涉及一種帶有除雜設備的萃取裝置。
背景技術
萃取槽(又稱混合澄清槽)是靠重力實現兩相分離的一種逐級接觸萃取設備,就水相和有機相的流向而言,可分逆流式和并流式;就能量輸入方式而言,可分為空氣脈動攪拌、機械攪拌和超聲波攪拌;就箱提結構而言,除簡單箱式混合器之外,還有多隔室的、組合式等各種其他混合器。
萃取槽是工業應用最早且仍廣泛使用的技術成熟的萃取設備。它是靠重力實現兩相分離的進行逐級接觸式萃取,主要由混合室和澄清室兩部分組成。原料液和萃取劑首先經過各自的進料口進入混合室中,通過攪拌器的攪拌使之混合傳質,然后通過溢流擋板進入澄清室內,通過重力作用實現自然分離。最后分別進入不同的出口,完成萃取過程。
目前絕大多數工業生產過程中采用間歇式單鍋萃取方法,無論單鍋采用多高的強制攪拌措施,最多只能提高設備效率但無助于打破擴散平衡的條件,一旦達到擴散平衡時,萃取作用就停止。為獲得更多有用成分唯有另加新溶劑以打破平衡條件,這種單鍋多次間歇式萃取,其代價是溶劑比大大上升,導致后處理蒸發濃縮的能耗猛增。間歇式單鍋萃取設備地容積效率特低,單鍋間歇萃取效率低、除雜效果差。鑒于此,如何設計一種除雜效果好、萃取效率和自動化程度高的萃取裝置是本領域技術人員需要解決的技術問題。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中萃取效率低、除雜效果差、自動化程度低的技術問題,而提出一種帶有除雜設備的萃取裝置。
為了實現上述目的,本實用新型采用了如下技術方案:設計一種帶有除雜設備的萃取裝置,包括第一潛室、第二潛室,所述的第一潛室流入的為重相溶質,所述的第二潛室流入的為輕相溶質;所述的萃取裝置包括第一級萃取裝置、第二級萃取裝置、第三級萃取裝置和第四級萃取裝置;所述的第一級萃取裝置、第二級萃取裝置、第三級萃取裝置和第四級萃取裝置均包含一個混合室和一個澄清室;所述的混合室和澄清室連接處設有混合溢流堰,所述的澄清室均設有一個重相溢流堰和輕相溢流堰。
所述的第一級萃取裝置澄清室的輕相溢流堰連接至第二級萃取裝置的混合室,第一級萃取裝置澄清室的重相溢流堰連接至重相輸出槽;所述的第二級萃取裝置澄清室的輕相溢流堰連接至第三級萃取裝置的混合室,第二級萃取裝置澄清室的重相溢流堰連接至第一級萃取裝置的混合室;所述的第三級萃取裝置澄清室的輕相溢流堰連接至第四級萃取裝置的混合室,第三級萃取裝置澄清室的重相溢流堰連接至第二級萃取裝置的混合室;所述的第四級萃取裝置澄清室的輕相溢流堰連接至輕相輸出槽,第四級萃取裝置澄清室的相溢流堰連接至第三級萃取裝置的混合室;所述的混合室內均設有攪拌電機,優選的,所述的輕相溢流堰設有一層半透膜。
優選的,所述的混合室和澄清室均為透明有機玻璃材料或PVC塑料制成,機玻璃材料或PVC塑料材質輕盈,造價低、強度高,而且形成的透明結構宜于在外部觀察容器內部萃取和雜質形成的情況。
優選的,所述的重相溢流堰設置在混合室和澄清室連接面的底端,重相密度較高,在萃取時通常沉淀在萃取容器底部,重相溢流堰設置在容器底部有利于重相的流動。
優選的,所述的輕相溢流堰設置在混合室和澄清室連接面的頂端,輕相密度較輕,在萃取時通常漂浮在重相的上層,輕相溢流堰設置在容器頂部有利于頂層輕相的溢流。
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