[實用新型]一種化合物晶體合成后旋轉垂直溫度梯度晶體生長裝置

有效

• 申請號: 201721699541.3
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN207596994U
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 王書杰;孫聶楓;劉惠生;孫同年;史艷磊;邵會民;李曉嵐;王陽;付莉杰
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/10
• 代理公司: 石家莊眾志華清知識產權事務所(特殊普通合伙) 13123
• 代理人: 王苑祥;郝曉紅

1.一種化合物晶體合成后旋轉垂直溫度梯度晶體生長裝置，包括爐體（17）、定位在爐腔內的合成與晶體生長系統及其配套的加熱系統、測溫系統、保溫系統和控制系統，其特征在于，所述合成與晶體生長系統包括側面設有籽晶容納腔（9-1）的坩堝（9）和設置在其水平一側的揮發元素承載器（6），所述揮發元素承載器（6）借助注入管（8）與坩堝（9）連通實現水平注入合成；所述爐體（17）借助配套的旋轉機構具有旋轉自由度，實現水平注入合成后旋轉垂直溫度梯度晶體生長。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述注入管（8）末端背離或傾斜式遠離揮發元素承載器（6）。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述注入管（8）為多段式，末段傾斜式遠離揮發元素承載器（6），與揮發元素承載器（6）呈60°-85°夾角。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述合成與晶體生長系統中還包括裝載所述坩堝（9）和揮發元素承載器（6）的裝載架（5），所述裝載架（5）配套設置密封蓋（5-1），密封蓋（5-1）上設有排氣口（5-1-1）。

5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述裝載架（5）為石英、碳化硅、氮化硼或陶瓷材質。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述加熱系統結構中包括套設在合成與晶體生長系統外圍的多段加熱器（3）；所述保溫系統結構中包括套設在加熱系統外部的保溫套（18）。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述測溫系統結構中包括分別用于測定坩堝（9）內籽晶容納腔（9-1）區域、合成與晶體生長部（9-2）區域和揮發元素承載器（6）區域的溫度的熱電偶a（14）、熱電偶c（1）和/或熱電偶d（13）和/或熱電偶e（12）、熱電偶b（4）。

8.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述旋轉機構驅動電機和與驅動電機輸出軸連接的減速器，所述減速器輸出軸借助聯軸器與爐體旋轉軸（17-1）連接，爐體（17）借助爐體旋轉軸（17-1）限位在支架（17-2）上。

9.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述坩堝（9）與揮發元素承載器（6）之間借助隔熱板（2）隔開；所述坩堝（9）配套設置具有支撐和保護作用的坩堝支撐（16）。