[實用新型]用于化合物半導體多晶料成型的裝置

有效

• 申請號: 201721699539.6
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN207596997U
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 付莉杰;孫聶楓;孫同年
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00;C30B29/40;C30B29/48
• 代理公司: 石家莊眾志華清知識產權事務所(特殊普通合伙) 13123
• 代理人: 王苑祥

1.用于化合物半導體多晶料成型的裝置，基于高壓合成化合物半導體的合成爐，其特征在于：該裝置包括增設在熔爐爐腔（7）內的成型模具（4）及定位在成型模具（4）上的升降桿（2），升降桿（2）穿過爐頂蓋（8）連接配套升降驅動機構，成型模具（4）設置在盛裝合成熔體（9）的坩堝（3）上方，并分布有下端開口對準坩堝（3）的成型腔（41），借助升降桿（2）和配套升降驅動機構，成型模具（4）下降至坩堝（3）內、合成熔體（9）從下端開口充入成型腔（41）內、降溫凝固為與成型腔（41）匹配的多晶料。

2.根據權利要求1所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述成型腔（41）的拔模斜度為0.3-0.8度。

3.據權利要求2所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述成型腔（41）的拔模斜度為0.5度。

4.根據權利要求2所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述成型模具（4）上分布有4-8個成型腔（41）。

5.根據權利要求4所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述成型腔（41）的橫截面形狀為圓形或方形，且截面為方形的型腔各過渡面間進行圓弧過渡處理。

6.根據權利要求5所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述圓形型腔的直徑或方形型腔的邊長為2-6寸。

7.根據權利要求1-6任一項所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述成型模具（4）的材質為氧化鋁陶瓷。

8.根據權利要求1-6任一項所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述升降桿（2）定位在成型模具（4）的頂部中心，配套升降驅動機構包括定位在爐頂蓋（8）上的電機及與電機連接的絲杠絲母副，升降桿（2）的另一端定位在絲杠或絲母上。

9.根據權利要求7所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述升降桿（2）定位在成型模具（4）的頂部中心，配套升降驅動機構包括定位在爐頂蓋（8）上的電機及與電機連接的絲杠絲母副，升降桿（2）的另一端定位在絲杠或絲母上。

10.根據權利要求7所述的用于化合物半導體多晶料成型的裝置，其特征在于：所述升降桿（2）定位在成型模具（4）的頂部中心，配套升降驅動機構為定位在爐頂蓋（8）上的氣缸，升降桿（2）的另一端與氣桿連接。