[實用新型]用于引線鍵合的熱壓板及加熱裝置有效
| 申請號: | 201721689411.1 | 申請日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN207624668U | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 張蘇東;田揚海;成銀 | 申請(專利權)人: | 嘉盛半導體(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;陳偉 |
| 地址: | 215027 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線鍵合 熱壓板 出氣孔 鍵合 半導體芯片 保護氣體 加熱裝置 本實用新型 導線架條 第二側壁 第一側壁 引腳 半導體芯片封裝 合作 相對設置 保護氣 加熱板 良品率 焊球 壓合 連通 暴露 覆蓋 | ||
1.一種用于引線鍵合的熱壓板,所述熱壓板用于將導線架條壓合在加熱板上,所述導線架條的上表面設置有多個導線架單元,每個所述導線架單元包括載片座和引腳,所述載片座用于承載半導體芯片,所述半導體芯片能通過引線與所述引腳電性連接;其特征在于,
所述熱壓板設置有貫穿其上下表面的鍵合窗口,所述鍵合窗口在所述熱壓板將所述導線架條壓合在所述加熱板上時將欲進行引線鍵合操作的半導體芯片和引腳露出,從而所述鍵合窗口能與所述欲進行引線鍵合操作的半導體芯片和引腳形成鍵合作業區域;所述鍵合窗口具有相對設置的第一側壁和第二側壁,所述第一側壁和所述第二側壁上分別設置有第一出氣孔和第二出氣孔,所述第一出氣孔和所述第二出氣孔能連通保護氣源以向所述鍵合窗口中注入保護氣體,從而使所述保護氣體充滿所述鍵合作業區域。
2.如權利要求1所述的熱壓板,其特征在于,所述鍵合窗口被配置為在所述熱壓板將所述導線架條壓合在所述加熱板上時能供一排或者兩排的所述導線架單元露出。
3.如權利要求1所述的熱壓板,其特征在于,所述熱壓板對應所述鍵合窗口的下壁向下延伸形成有凸棱,所述凸棱在所述熱壓板將所述導線架條壓合在所述加熱板上時壓設在相鄰兩排所述導線架單元之間的切割道上。
4.如權利要求1所述的熱壓板,其特征在于,所述鍵合窗口呈長條形開口狀,所述鍵合窗口對應長邊的兩個側壁即分別為所述第一側壁和所述第二側壁。
5.如權利要求1所述的熱壓板,其特征在于,所述第一出氣孔和所述第二出氣孔的數量為多個,多個所述第一出氣孔和所述第二出氣孔分別間隔設置在所述第一側壁和所述第二側壁上。
6.如權利要求1所述的熱壓板,其特征在于,所述熱壓板具有位于所述鍵合窗口兩側的第一區域和第二區域,所述第一區域和所述第二區域中分別設置有第一腔體和第二腔體,所述第一腔體和所述第二腔體分別通過所述第一出氣孔和所述第二出氣孔與所述鍵合窗口相連通。
7.如權利要求6所述的熱壓板,其特征在于,所述第一區域和所述第二區域分別設置有開口向上的第一容置槽和第二容置槽,所述第一容置槽和所述第二容置槽的上端分別可拆卸地蓋合有第一蓋板和第二蓋板以限定出所述第一腔體和所述第二腔體。
8.如權利要求7所述的熱壓板,其特征在于,所述第一區域的上端面對應于所述第一容置槽的邊緣向下凹陷形成第一臺階,所述第二區域的上端面對應于所述第二容置槽的邊緣向下凹陷形成第二臺階,所述第一蓋板和所述第二蓋板分別嵌設在所述第一臺階和所述第二臺階上,所述第一蓋板和所述第二蓋板的上表面分別與所述第一區域和所述第二區域的上表面相平齊。
9.如權利要求8所述的熱壓板,其特征在于,所述第一臺階對應于所述第一側壁的上端面向下凹陷形成第一凹槽,所述第二臺階對應于所述第二側壁的上端面向下凹陷形成第二凹槽,所述第一凹槽與所述第一蓋板限定出所述第一出氣孔,所述第二凹槽和所述第二蓋板限定出所述第二出氣孔。
10.如權利要求6所述的熱壓板,其特征在于,所述熱壓板上設置有分別與所述第一腔體和所述第二腔體相連通的第一進氣孔和第二進氣孔,所述第一腔體和所述第二腔體能分別通過所述第一進氣孔和所述第二進氣孔與所述保護氣源相連通。
11.如權利要求10所述的熱壓板,其特征在于,所述第一進氣孔和所述第二進氣孔分別位于所述第一區域和所述第二區域遠離所述鍵合窗口的邊緣。
12.如權利要求10所述的熱壓板,其特征在于,所述熱壓板呈長方形,所述熱壓板沿其長度方向的兩端向上彎折形成第一拾取部和第二拾取部,所述第一拾取部和所述第二拾取部分別通過第一傾斜過渡部和第二傾斜過渡部與所述第一區域和所述第二區域相連接,所述第一進氣孔和所述第二進氣孔分別設置在所述第一傾斜過渡部和所述第二傾斜過渡部上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于嘉盛半導體(蘇州)有限公司,未經嘉盛半導體(蘇州)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721689411.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





