[實用新型]一種高電流離子注入機末端測流器有效
| 申請號: | 201721682661.2 | 申請日: | 2017-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN207489825U | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 鄧躍;嚴駿;石慶球 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/265;H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 流器 高電流離子注入機 本實用新型 隔離部 同電位 石墨 機臺 絕緣子安裝 離子注入機 末端連接 接地 側面部 頂面部 接地部 連接腔 正面部 短路 斷路 蓋子 遮擋 側面 保證 | ||
1.一種高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:包括測流器本體(1),所述測流器本體(1)包括接地部(11)、離子注入機末端的連接腔(12)和連接腔(12)側面的隔離部(13);所述隔離部(13)還包括頂面部(14)、正面部(15)和側面部(16)。
2.根據權利要求1所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述隔離部(13)還包括導電部件(17)和絕緣部件(18)。
3.根據權利要求2所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述絕緣部件(18)安裝于所述導電部件(17)的內層。
4.根據權利要求3所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述絕緣部件(18)包括絕緣部件一(181)、絕緣部件二(182)、絕緣部件三(183)。
5.根據權利要求4所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述絕緣部件一(181)安裝于所述頂面部(14),所述絕緣部件二(182)安裝于所述正面部(15);所述絕緣部件三(183)安裝于所述側面部(16)。
6.根據權利要求5所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述導電部件包括導電部件一(171)、導電部件二(172)、導電部件三(173)、導電部件四(174)和導電部件五(175)。
7.根據權利要求6所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述正面部(15)包括連接的斜板部(151)和豎直部(152)。
8.根據權利要求7所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述導電部件一(171)設置于所述絕緣部件一(181)表面并覆蓋整個絕緣部件一(181);導電部件二(172)設置于所述斜板部(151)表面;所述導電部件三(173)設置于所述豎直部(152)表面;所述側面部(16)包括橫向凸起部一(161)和橫向凸起部二(162);所述導電部件四(174)設置于所述橫向凸起部一(161)表面,所述導電部件五(175)設置于所述橫向凸起部二(162)表面。
9.根據權利要求8所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述絕緣部件(18)為絕緣子。
10.根據權利要求9所述的高電流離子注入機末端測流器,其特征在于:所述導電部件(17)為石墨。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





