[實用新型]一種溫度檢測電路有效
| 申請號: | 201721674661.8 | 申請日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN207515919U | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發明(設計)人: | 歐陽托日;任軍 | 申請(專利權)人: | 合肥恒爍半導體有限公司 |
| 主分類號: | G01K7/01 | 分類號: | G01K7/01 |
| 代理公司: | 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
| 地址: | 230041 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓生成電路 譯碼器 帶隙基準電壓 溫度檢測電路 待檢測電壓 數字信號 溫度信息 帶隙基準電路 基準電壓電路 模數轉換處理 本實用新型 負基準電壓 支路 待測芯片 基準電路 模擬信號 芯片結構 減小 譯碼 預設 檢測 轉換 | ||
本實用新型公開了一種溫度檢測電路,包括:電壓生成電路,ADC正負基準電壓電路,ADC電路以及譯碼器;所述電壓生成電路,用于生成預設帶隙基準電壓以及待檢測電壓;所述ADC正負基準電路,用于將帶隙基準電壓轉換為ADC的正基準和負基準電壓;所述ADC電路,用于將所述電壓生成電路中生成的待檢測電壓,進行模數轉換處理后生成數字信號;所述譯碼器,用于將所述ADC電路生成的所述數字信號進行譯碼,顯示當前待測芯片的溫度信息。其目的通過在帶隙基準電路上增加一條支路,獲得溫度的模擬信號,實現溫度信息的檢測,從而減小芯片結構的面積。
技術領域
本實用新型涉及集成電路領域,特別是涉及一種溫度檢測電路。
背景技術
隨著半導體技術不斷發展,目前半導體器件的尺寸越來越小。隨著芯片上晶體管密度的提高,芯片功耗隨之加大。但是功耗變大后帶來以下問題。
芯片的溫度過熱,從而造成更多的不良影響:1)芯片工作速度變慢。2)芯片熱穩定性,嚴重甚至會導致芯片燒毀。
本申請基于以上的問題,提供了解決技術問題的技術方案。
發明內容
本實用新型的提供了一種溫度檢測電路,其目的通過在帶隙基準電路上增加一條支路,獲得溫度的模擬信號,實現溫度信息的檢測,從而減小芯片結構的面積。
本實用新型提供的技術方案如下:
一種溫度檢測電路,包括:電壓生成電路,ADC正負基準電壓電路,ADC電路以及譯碼器;所述電壓生成電路,用于生成預設帶隙基準電壓以及待檢測電壓;所述ADC正負基準電路,用于將帶隙基準電壓轉換為ADC的正基準和負基準電壓;所述ADC電路,用于將所述電壓生成電路中生成的待檢測電壓,進行模數轉換處理后生成數字信號;所述譯碼器,用于將所述ADC電路生成的所述數字信號進行譯碼,顯示當前待測芯片的溫度信息。
優選的,所述電壓生成電路:包括:8個MOS管,MOS管M1~MOS管M8;3個三極管,分別為:三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3;所述MOS管M1~MOS管M4的柵極端依次串聯;所述MOS管M1~MOS管M4的源極端并列連接在電源供電端;所述MOS管M1~MOS管M4的漏極端依次與所述MOS管M5~MOS管M8的源極端對應電連接;所述MOS管M5~MOS管M8的柵極端依次串聯;所述MOS管M5的漏極端分別與所述三極管Q1的集電極端、所述三極管Q1的基極端、所述三極管Q2的基極端電連接;所述三極管Q1的發射極端連接公共地端;所述三極管Q2的集電極端與所述MOS管M6的漏極端電連接;所述三極管Q2的發射極端通過第一電阻R1連接所述公共地端;所述MOS管M7的漏極端通過第二電阻R2與所述三極管Q3的集電極端和基極端電連接,輸出所述預設帶隙基準電壓;所述三極管Q3的發射極端連接所述公共地端;所述MOS管M8的漏極端通過第三電阻R3連接所述公共地端,輸出所述待檢測電壓。
優選的,正負基準電壓電路,所述正負基準電壓電路分別與所述電壓生成電路,所述ADC電路電連接,用于將所述預設帶隙基準電壓調制成正基準電壓信號和負基準電壓信號;運算放大器U1的正相輸入端輸入所述預設帶隙基準電壓;所述運算放大器U1的輸出端通過電阻R4分別與所述運算放大器U1的反向輸入端、以及電阻的R5的一端電連接;所述電阻的R5的另一端通過電阻R6連接所述公共地端。
優選的,所述ADC電路包括:第一數量的比較器,以及與第一數量的比較器數量對應的第二數量的電阻;第一數量的所述比較器的正相輸入端與所述MOS管M8的漏極端電連接,輸入所述待檢測電壓接;第二數量的所述電阻串聯電連接;串聯后的第二數量的所述電阻的一端與所述運算放大器U1的輸出端電連接,接收所述正基準電壓信號;串聯后的第二數量的所述電阻的另一端與所述電阻的R5的另一端電連接,接收所述負基準電壓信號;每兩個串聯電阻的公共端與所述運算放大器的反相輸入端電連接;第一數量小于第二數量。
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