[實(shí)用新型]一種連續(xù)式磁控濺射裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721674593.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207646279U | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 毛華云;梁禮渭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江西金力永磁科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙青朵 |
| 地址: | 341000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁控濺射 腔室 冷卻腔室 真空腔室 磁控濺射裝置 磁控濺射爐 可活動(dòng)裝置 連續(xù)式 隔開 本實(shí)用新型 三個(gè)腔室 互不干擾 生產(chǎn)效率 抽真空 入口處 冷卻 生產(chǎn) | ||
本實(shí)用新型提供了一種連續(xù)式磁控濺射裝置,包括含有真空腔室、磁控濺射腔室和冷卻腔室的磁控濺射爐;所述真空腔室設(shè)置在所述磁控濺射腔室的一側(cè),所述真空腔室和磁控濺射腔室之間用第一可活動(dòng)裝置隔開;所述冷卻腔室設(shè)置在所述磁控濺射腔室的另一側(cè),所述冷卻腔室和磁控濺射腔室之間用第二可活動(dòng)裝置隔開;所述真空腔室設(shè)置于所述磁控濺射爐的入口處,所述冷卻腔室設(shè)置于述磁控濺射爐的出口處。本實(shí)用新型提供了一種連續(xù)式磁控濺射裝置,具有連續(xù)的三個(gè)腔室,按工作順序分別為真空腔室、磁控濺射腔室、冷卻腔室。三個(gè)腔室之間以可活動(dòng)裝置隔開,各自工作,互不干擾,從而實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)連續(xù)性,減少抽真空和冷卻的等待時(shí)間,提高生產(chǎn)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于磁體制備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種連續(xù)式磁控濺射裝置,尤其涉及一種用于釹鐵硼磁體鍍膜的連續(xù)式磁控濺射裝置。
背景技術(shù)
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)技術(shù)表示在真空條件下,采用物理方法,將材料源--固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子,并通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法有,真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜,及分子束外延等,發(fā)展到目前,物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。
這其中,磁控濺射是近年來實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用過程中,利用率較多的一種,磁控濺射鍍膜是指在真空條件下,利用獲得功能的粒子轟擊靶材料表面,使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程。被濺射的靶材沉積到基材表面,就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子,一般采用輝光放電獲得,所以濺射出來的粒子在飛向基體過程中,易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞,使運(yùn)動(dòng)方向隨機(jī),沉積的膜易于均勻。現(xiàn)有的規(guī)模性磁控濺射鍍膜,沉積速率較高,工藝重復(fù)性好,便于自動(dòng)化,且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),隨著不斷的研究,更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。
現(xiàn)有的磁控濺射,主要是在陰極(靶材)和陽極之間(被鍍基體)施加正交的磁場和電場,真空狀態(tài)下,通入惰性氣體氬氣,使氬氣等離子化,并在磁場和電場的作用下,高速轟擊靶材,使靶材以離子或原子形式濺射至被鍍基體表面,形成致密的保護(hù)層。正是因?yàn)槠涑赡ぞ鶆颍Y(jié)合力良好,環(huán)保性好等優(yōu)點(diǎn)在表面防護(hù)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用,已適于進(jìn)行大型建筑裝飾鍍膜,及工業(yè)材料的功能性鍍膜。如專利號(hào)為CN105112873A的專利公布了一種磁控濺射裝置,該裝置包含一個(gè)磁控濺射腔室,腔室內(nèi)安裝有靶材和放置被鍍基體的底座,工作時(shí)靶材和基體底座分別作為陰極和陽極,同時(shí)靶材內(nèi)部裝有圓形磁鐵,提供與電場正交的磁場,通入氬氣后,即可轟擊靶材并濺射至基體表面,形成一層致密保護(hù)層。
但是在目前實(shí)際的應(yīng)用中,依然還存在諸多不理想的缺陷,尤其是在實(shí)際生產(chǎn)工序中,如磁體的鍍膜過程中,由于磁控濺射需在真空狀態(tài)下實(shí)現(xiàn),所以目前通常的做法是,將被鍍基體置于爐內(nèi),抽真空,鍍防護(hù)層,冷卻后開爐得到最終產(chǎn)品。該工藝需每爐抽真空,等待冷卻,非生產(chǎn)時(shí)間長,生產(chǎn)效率低。
因此,如何得到一種磁控濺射的裝置和方法,提高生產(chǎn)效果,已成為諸多生產(chǎn)企業(yè)和使用企業(yè)亟待解決的問題之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于提供一種連續(xù)式磁控濺射裝置及連續(xù)式磁控濺射的方法,尤其是用于釹鐵硼磁體鍍膜的連續(xù)式磁控濺射裝置及方法,本實(shí)用新型的提供的連續(xù)式磁控濺射裝置能夠有效的實(shí)現(xiàn)鍍膜生產(chǎn)的連續(xù)性,減少抽真空和冷卻的等待時(shí)間,提高生產(chǎn)效率。
本實(shí)用新型提供了一種連續(xù)式磁控濺射裝置,包括含有真空腔室、磁控濺射腔室和冷卻腔室的磁控濺射爐;
所述真空腔室設(shè)置在所述磁控濺射腔室的一側(cè),所述真空腔室和磁控濺射腔室之間用第一可活動(dòng)裝置隔開;
所述冷卻腔室設(shè)置在所述磁控濺射腔室的另一側(cè),所述冷卻腔室和磁控濺射腔室之間用第二可活動(dòng)裝置隔開;
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





