[實用新型]一種刻蝕裝置

有效

• 申請號: 201721663551.1
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN207474431U
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 管高飛;周進;杜凌;張前
• 申請（專利權）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置包括主刻蝕槽、副刻蝕槽和交換器，所述主刻蝕槽的出口和所述副刻蝕槽的入口連接，所述副刻蝕槽的出口和所述交換器的入口連接，所述交換器的出口與所述主刻蝕槽的入口連接，位于所述主刻蝕槽內的酸性刻蝕液經過副刻蝕槽以及所述交換器進行冷卻后返回到所述主刻蝕槽內，并能夠在所述主刻蝕槽中對硅片進行刻蝕。

2.根據權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置還包括設施冷卻水機構，所述設施冷卻水機構與所述交換器連接，所述酸性刻蝕液經過所述交換器后進入所述設施冷卻水機構，并在所述設施冷卻水機構內進行冷卻后返回所述交換器，由所述交換器的出口返回到所述主刻蝕槽。

3.根據權利要求1或2所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述酸性刻蝕液在所述主刻蝕槽內對所述硅片進行刻蝕的溫度為25℃~28℃。

4.根據權利要求1或2所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述酸性刻蝕液包括HF/HNO₃混合液。

5.一種刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置包括主刻蝕槽、副刻蝕槽和冷盤，所述冷盤位于所述副刻蝕槽內，所述主刻蝕槽的出口與所述副刻蝕槽的入口連接，所述副刻蝕槽的出口與所述主刻蝕槽的入口連接，位于所述主刻蝕槽內的酸性刻蝕液進入所述副刻蝕槽內，在所述冷盤內進行冷卻后返回到所述主刻蝕槽內，并能夠所述主刻蝕槽中對硅片進行刻蝕。

6.根據權利要求5所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置還包括設施冷卻水機構，所述設施冷卻水機構與位于所述副刻蝕槽內的冷盤連接，所述酸性刻蝕液進入所述副刻蝕槽內后，經過所述冷盤的冷卻后進入到所述設施冷卻水機構內，并在所述設施冷卻水機構內進行冷卻后返回所述冷盤，由所述副刻蝕槽的出口返回到所述主刻蝕槽。

7.根據權利要求5或6所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述酸性刻蝕液在所述主刻蝕槽內對所述硅片進行刻蝕的溫度為25℃~28℃。

8.根據權利要求5或6所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述酸性刻蝕液包括HF/HNO₃混合液。