[實用新型]一種無刷直流電機驅動器拓撲電路有效
| 申請號： | 201721655698.6 | 申請日： | 2017-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN207530736U | 公開（公告）日： | 2018-06-22 |
| 發明（設計）人： | 李延春;汪順長;薛飛 | 申請（專利權）人： | 麗水博遠科技有限公司 |
| 主分類號： | H02P6/08 | 分類號： | H02P6/08;H02P6/16 |
| 代理公司： | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品華 |
| 地址： | 323000 浙江省麗水*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣柵雙極型晶體管IGBT 本實用新型 驅動器 無刷直流電機 肖特基二極管 拓撲電路 場效應晶體管 電機轉子位置 氧化物半導體 寄生二極管 電路結構 電路維護 反向并聯 工藝實現 驅動電路 減小 漏極 續流 源極 恢復 金屬 檢測 損害 | ||
1.一種無刷直流電機驅動器拓撲電路，包括三個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET與三個絕緣柵雙極型晶體管IGBT，其特征在于，所述每個絕緣柵雙極型晶體管IGBT的漏極與源極之間并聯一個快恢復肖特基二極管，三個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET與三個絕緣柵雙極型晶體管IGBT和三個快恢復肖特基二極管，組成一個具有三個上橋臂和三個下橋臂的三相橋式驅動電路。
2.根據權利要求1所述的一種無刷直流電機驅動器拓撲電路，其特征在于，所述的三相橋式驅動電路的每個上橋臂由一個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET構成，每個下橋臂由一個絕緣柵雙極型晶體管IGBT與一個快恢復肖特基二極管反向并聯組成。
3.根據權利要求1所述的一種無刷直流電機驅動器拓撲電路，其特征在于，所述的三相橋式驅動電路的每個上橋臂的金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的漏極與直流電源正極相連；所述的三相橋式驅動電路的每個下橋臂的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的源極與直流電源負極相連；所述的三相橋式驅動電路的第一個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的柵極接拓撲電路的第一個輸入端口，第二個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的柵極接拓撲電路的第二個輸入端口，第三個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的柵極接拓撲電路的第三個輸入端口，第一個絕緣柵雙極型晶體管IGBT的柵極接拓撲電路的第四個輸入端口，第二個絕緣柵雙極型晶體管IGBT的柵極接拓撲電路的第五個輸入端口，第三個絕緣柵雙極型晶體管IGBT的柵極接拓撲電路的第六個輸入端口；所述三相橋式驅動電路每個上橋臂的金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的源極，分別與下橋臂的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的漏極相連，每個快恢復二極管反向并聯于絕緣柵雙極型晶體管IGBT的漏極與源極之間；所述三相橋式驅動電路第一個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的源極接拓撲電路的第一個輸出端口，第二個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的源極接拓撲電路的第二個輸出端口，第三個金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的源極接拓撲電路的第三個輸出端口。
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