[實用新型]陣列基板及顯示屏有效
| 申請號: | 201721644664.7 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN207517684U | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發明(設計)人: | 俞鳳至;顧維杰;陳闖;李錦;張旭陽;李林鋼 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列基板 襯底 主體層 底襯 頂襯 復合 本實用新型 驅動結構 數據線層 數據線 走線層 走線 顯示屏 走線設置 電連接 屏顯示 彎折的 背面 貫穿 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
復合襯底,包括底襯底層、以及形成在所述底襯底層上的頂襯底層;
第一走線層,設置于所述底襯底層與所述頂襯底層之間;所述第一走線層包括若干第一走線;
以及驅動結構層,形成于所述復合襯底上;
所述驅動結構層中的引線通過過孔與相對應的所述第一走線電連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一走線層與所述底襯底層之間還設有用于保護所述底襯底層的保護層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述保護層的厚度為20nm~40nm。
4.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述保護層為硅的氧化物層、或硅的氮化物層。
5.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一走線層的厚度為200nm~700nm。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述底襯底層的厚度為2μm~3μm。
7.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述頂襯底層的厚度為1μm~3μm。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一走線位于所述陣列基板的邦定區。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述底襯底層在邦定區上開設有漏出所述第一走線的邦定孔。
10.一種顯示屏,其特征在于,所述顯示屏包括權利要求1~9任一項所述的陣列基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于云谷(固安)科技有限公司,未經云谷(固安)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721644664.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種智能無線充電模塊
- 下一篇:感光電路及具有感光電路的感光單元
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





