[實用新型]一種磷化銦單晶受控生長裝置

有效

• 申請號: 201721640945.5
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN207512313U
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 朱建華
• 申請（專利權）人: 廣東天鼎思科新材料有限公司
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B11/00
• 代理公司: 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425
• 代理人: 吳靜芝

1.一種磷化銦單晶受控生長裝置，包括密閉高壓腔、安裝在密閉高壓腔內的加熱爐腔、安瓿支撐座、石英安瓿、PBN坩堝以及石英帽；其特征在于：加熱爐腔安裝固定在密閉高壓腔的內部，安瓿支撐座設置在加熱爐腔的內部下方，石英安瓿設置在安瓿支撐座上端，PBN坩堝可拆卸地設置在石英安瓿的內部，石英帽設置在PBN坩堝的上端且與PBN坩堝圍成密封的空間；安瓿支撐座上端的中心軸向設置有一加熱管，石英安瓿的下端配合伸進加熱管中。

2.根據權利要求1所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述加熱管為V型加熱管。

3.根據權利要求2所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述石英安瓿包括依次連接的長筒體、安瓿椎體以及安瓿籽晶井，安瓿椎體的上端口直徑等于長筒體的下端口直徑，安瓿椎體的下端口直徑等于安瓿籽晶井的上端口直徑，且安瓿椎體的直徑從上端口沿下端口方向逐漸縮小。

4.根據權利要求3所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述V型加熱管的上端口直徑等于安瓿椎體上端口直徑的五分之三，V型加熱管的下端口直徑等于安瓿椎體上端口直徑的五分之一。

5.根據權利要求3所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述V型加熱管的上端口平面與安瓿籽晶井的上端口平面平行。

6.根據權利要求2至5任一項所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述V型加熱管包括耐熱石英管以及多根高溫電阻絲，多根高溫電阻絲均勻外繞在石英管的外側面上。

7.根據權利要求6所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述V型加熱管內均勻填充有低密度絕緣硅酸鋁陶瓷纖維棉。

8.根據權利要求7所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述多根高溫電阻絲外均勻填充有低密度絕緣氧化鋯陶瓷纖維棉。

9.根據權利要求8所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述多根高溫電阻絲均勻布置在V型加熱管下端口至距離上端口三分之二的外側面上。

10.根據權利要求9所述的磷化銦單晶受控生長裝置，其特征在于：所述多根高溫電阻絲還設有一控溫熱電偶。