[實用新型]太陽能電池主柵電極及太陽能電池芯片有效
| 申請號: | 201721628784.8 | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN207637807U | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發明(設計)人: | 彭福國;周成;許文彬;王進;胡德政 | 申請(專利權)人: | 君泰創新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;張春雨 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京經*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 主柵線 加強段 鏤空段 主柵電極 實心段 樹脂 太陽能電池 焊接工藝 太陽能電池芯片 本實用新型 導電性能 焊接拉力 相間分布 正常功能 垂直的 焊接處 細柵線 銀漿料 焊帶 焊接 保證 節約 | ||
本實用新型公開了一種太陽能電池主柵電極及太陽能電池芯片,其中該主柵電極包括相互垂直的主柵線和細柵線,其中,主柵線包括實心段和鏤空段,實心段和鏤空段相間分布;主柵線還包括加強段,加強段設置在鏤空段中;加強段中樹脂的含量大于實心段中樹脂的含量。本實用新型提供的太陽能電池主柵電極,通過設置鏤空段,可以在保證主柵線維持正常功能的情況下減少對銀漿料的使用,節約了成本,同時通過在鏤空段中設置樹脂的含量大于實心段中樹脂的含量的加強段,使主柵線的焊接工藝在加強段處進行,具體地可以將焊接工藝中所使用的焊帶焊接在加強段上,從而可以在保證主柵線導電性能的情況下,提升主柵線在焊接處的焊接拉力。
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池技術領域,尤其涉及一種太陽能電池主柵電極及太陽能電池芯片。
背景技術
高效、高穩定性和低度電成本的a-Si/c-Si異質結太陽電池(SHJ)有望成為未來的主流光伏技術之一,近兩年異質結電池產業化步伐迅速升溫。該技術使用低溫銀漿作為金屬化電極,但是,低溫銀漿很難兼顧電性能與焊接拉力均達到理想的狀態。由此導致工藝控制要求較高,工藝窗口較小。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種太陽能電池主柵電極及太陽能電池芯片,以解決上述現有技術中的問題,實現在保證理想的電性能的情況下,提高低溫銀漿的焊接拉力,增大工藝窗口。
本實用新型提供了一種太陽能電池主柵電極,包括主柵線和細柵線,所述主柵線與所述細柵線相互垂直,其中,所述主柵線包括實心段和鏤空段,所述實心段和所述鏤空段相間分布;
所述主柵線還包括加強段,所述加強段設置在所述鏤空段中;
所述加強段中樹脂的重量所占比率大于所述實心段中樹脂的重量所占比率。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述加強段的兩端分別與所述鏤空段兩端的所述實心段直接相連。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述主柵線包括連接柵線,所述加強段的兩端分別通過所述連接柵線與所述鏤空段兩端的所述實心段相連。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述加強段的寬度小于或等于所述實心段的寬度。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述鏤空段的長度范圍值為10~15mm。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述加強段的長度為所述鏤空段的長度的1/3~1/2。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述加強段中的樹脂的重量占所述加強段總重量的25%~30%。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述實心段中的樹脂的重量占所述實心段總重量的10%~15%。
如上所述的太陽能電池主柵電極,其中,優選的是,所述實心段的寬度范圍值為0.6~1mm。
本實用新型還提供了一種太陽能電池芯片,包括晶硅基底,所述晶硅基底的正面和反面分別設置有本征非晶硅層,所述晶硅基底的正面和反面的本征非晶硅層上分別設置有N型非晶硅層和P型非晶硅層,所述N型非晶硅層和所述P型非晶硅層上分別設置有透明導電層,其中,所述太陽能電池芯片還包括本實用新型提供的太陽能電池主柵電極,所述太陽能電池主柵電極設置在所述透明導電層上。
本實用新型提供的太陽能電池主柵電極,通過設置鏤空段,可以在保證主柵線維持正常功能的情況下減少對銀漿料的使用,節約了成本,同時通過在鏤空段中設置樹脂的含量大于實心段中樹脂的含量的加強段,使主柵線的焊接工藝在加強段處進行,具體地可以將焊接工藝中所使用的焊帶焊接在加強段上,從而可以在保證主柵線導電性能的情況下,提升主柵線在焊接處的焊接拉力。
附圖說明
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





